Sandisk a Toshiba představují svoje 16Gb NAND MLC paměti
25.1.2007, Jan Vítek, aktualita
V poslední době se roztrhl pytel s paměťovými moduly NAND flash a vůbec SSD flash disky, což je možné díky úspěchům Samsungu na poli výroby pokročilých NAND čipů. Nyní Sandisk společně s Toshibou pro změnu uvádějí své MLC (Multi-Level-Cell)...
V poslední době se roztrhl pytel s paměťovými moduly NAND flash a vůbec SSD flash disky, což je možné díky úspěchům Samsungu na poli výroby pokročilých NAND čipů. Nyní Sandisk společně s Toshibou pro změnu uvádějí své MLC (Multi-Level-Cell) NAND paměti.
Ty využívají čipy vyrobené 56nm procesem na 300mm waferech. Nejdříve se mají v tomto čtvrtletí objevit 8Gb MLC NAND paměti a v následujícím čtvrtletí se výroba přesune na 16Gb verze. Dle slov firmy Sandisk mají nové 56nm oproti předchozím 70nm zaznamenat až dvakrát vyšší rychlost zapisování, avšak jak je to se čtením, zatím nevíme. Čipy budou vyráběny ve Fab 3 (Yokkaichi, Japonsko) patřící Toshibě a do konce tohoto roku výrobu rozšíří nová Fab 4. Využijí se především v SD a CF kartách Sandisk a také SSD discích pro notebooky.
Zdroj: DailyTech
Ty využívají čipy vyrobené 56nm procesem na 300mm waferech. Nejdříve se mají v tomto čtvrtletí objevit 8Gb MLC NAND paměti a v následujícím čtvrtletí se výroba přesune na 16Gb verze. Dle slov firmy Sandisk mají nové 56nm oproti předchozím 70nm zaznamenat až dvakrát vyšší rychlost zapisování, avšak jak je to se čtením, zatím nevíme. Čipy budou vyráběny ve Fab 3 (Yokkaichi, Japonsko) patřící Toshibě a do konce tohoto roku výrobu rozšíří nová Fab 4. Využijí se především v SD a CF kartách Sandisk a také SSD discích pro notebooky.
Zdroj: DailyTech
