Sapphire Rapids-SP: čtyři 8vrstvé HBM2e a 14x EMIB

Sapphire Rapids-SP budou tvořit nerozlučnou dvojici s akcelerátory Ponte Vecchio a v obou případech již půjde o produkty, v nichž Intel využije své nejmodernější technologie pouzdření čipů. V případě Sapphire Rapids-SP si přitom vystačí jen s technologií EMIB, která bude propojovat přinejmenším osm čipů, čili čtyři CPU dlaždice a dále čtyři pouzdra s paměťmi HBM2e. Nutno dodat, že tyto procesory ve verzi vybavené paměťmi HBM2e jsme ještě neviděli. 

 

 

Intel ale již potvrdil, že Sapphire Rapids-SP přijdou jednak v základní verzi a pak ve verzi s paměťmi HBM2e, pro něž by na procesorové destičce vedle samotných CPU dlaždic (označované jsou jako XCC) mohlo být ještě dost místa, ale zřejmě tu půjde o jiné větší pouzdro. Jedna XCC má přitom zabrat plochu cca 400 mm², čili celkově 1600 mm².

 

 

XCC tak budou mezi sebou propojena pomocí křemíkových spojů EMIB zapuštěných v substrátu, přičemž z obrázků to vypadá, že budou pouze čtyři, ale specifikace Intelu mluví o deseti. V případě HBM verze půjde v základu o ty samé procesory, jen tu budou navíc čtyři osmivrstvé paměti HBM2e (teoreticky až 128 GB celkem), které budou propojeny čtyřmi dalšími EMIB. 

 

 

To vše se musí vejít na procesorovou destičku o velikosti 4446 mm², přičemž verze Sapphire Rapids-SP s paměťmi HBM2e má být výrazně větší, a to kolem 5700 mm². Pro porovnání budoucí AMD Genoa s 12 čiplety má zabrat asi 5400 mm².

 

 

A co se dozvíme o EMIB? Nejde o zázračnou technologii, ale i tak jsou tyto kousky křemíku mnohem lepší než to, co dokáží zajistit klasické spoje v rámci substrátové destičky. Oproti nim EMIB zajistí dvojnásobnou propustnost vzhledem zabrané ploše a čtyřnásobně vyšší efektivitu. 

 

 

Nakonec se můžeme podívat i na podobné informace o Ponte Vecchio a především pak na průřez, který ukazuje dole substrát, dále zapuštěný EMIB, na něm položenou Base Die (interposer) a až teprve pak Top Die, čili jeden z logických čipů. Vedle něj je pak výrazně vyšší pouzdro pamětí typu HBM, čili tuto nerovnost musí pod heatspreaderem (IHS) zvládnout vyrovnat co možná nejkvalitnější teplovodivý materiál.