SK hynix chystá pro příští rok 321vrstvé paměti 3D NAND i 400vrstvé 4D NAND
9.8.2024, Milan Šurkala, aktualita
Vývoj pamětí Flash NAND pokračuje dále a zatímco dnes jsme už téměř na 300vrstvých variantách, v příštím roce bychom se od společnosti SK hynix měli dočkat 321 vrstev a dokonce i 400vrstvé varianty.
Paměti Flash NAND pokračují ve svém vývoji. Neustále se zvyšuje počet vrstev a např. Micron je nyní na 276 vrstvách a Samsung nedávno představil své TLC čip 9. generace s dokonce 290 vrstvami. Je tu ale i společnost SK hynix, která má na příští rok také své plány. SK hynix už loni ukázal 321vrstvé čipy, nicméně jejich velkosériová produkce bude zahájena teprve v první polovině roku 2025. Zajímavější je ale 400vrstvá varianta plánovaná na druhou polovinu příštího roku. Ta totiž od konceptu 3D NAND přejde na 4D NAND.
Co to ale vlastně znamená? Při 2D NAND jsou paměťové buňky vedle periferních obvodů, tvoří tedy dvě 2D pole vedle sebe. U 3D NAND jsou sice obvody a paměť samotná stále vedle sebe, nicméně paměťové buňky jako takové jsou už ve vrstvách. 4D NAND dá tyto obvody pod vrstvu těch paměťových. Tato metoda se nazývá Peripheral Under Cell. Poněvadž přidávání paměťových vrstev nad obvody přináší zvýšené riziko poškození při výrobě, tyto dvě části budou vyráběny zvlášť a poté spojovány novým hybridním způsobem. Výhodou by mělo být to, že paměťové čipy budou při stejné kapacitě plošně menší. Připomeňme ještě to, že firmy jako Samsung nebo Kioxia mají v plánu přinést 1000vrstvé čipy do roku 2030. Myslíte, že to stihnou?
