SK hynix uvedl paměti LPDDR5X s procesem HKMG a ultranízkým napětím

Mobilní zařízení obvykle využívají paměti LPDDR různých generací, které se vyznačují nízkým napětím a díky tomu i velmi nízkou spotřebu. Ani to ale nemusí stačit. Společnost SK hynix chce jít ještě dál a uvádí své nové paměťové čipy LPDDR5X, které využívají procesu HKMG (High-K Metal Gate). Využívá materiálu s vysokou relativní permitivitou, což snižuje úniky a vylepšuje schopnost udržet si elektrický náboj. To ve výsledku zvyšuje rychlost, ale současně snižuje spotřebu.

 

 

SK hynix díky tomu slibuje, že se povedlo snížit spotřebu o 25 %, přičemž rychlost se zvýšila na 8,5 Gbps, což je o 33 % více než u předchozích 6,4Gbps modelů. Paměti jsou schopny běžet na velmi nízkém napětí v rozsahu 1,01 až 1,12 V, které definoval JEDEC. Připomeňme, že 6,4Gbps varianty začínaly na 1,05 V. Výhodou by mělo být, že mobilní zařízení s těmito pamětmi vydrží delší dobu na jedno nabití a v neposlední řadě budou i rychlejší (a stejnou práci zvládnou za kratší čas). SK hynix přidává ještě to, že zatímco LPDDR5 jsou schopny přenést 10 5GB videí za sekundu, nové paměti LPDDR5X jich za stejný čas zvládnou 13.

 

 

Zdroj: news.skhynix.com