SK Hynix začal s masovou výrobou výkonných pamětí HBM2E

Paměti Samsung HBM2E známe už pěknou řádku měsíců jako výkonné RAM, které využívají velice široké datové rozhraní a jsou určeny pro čipy nejnáročnější na propustnost. Dle tiskové zprávy výrobce tu máme přes 460 GB/s propustnosti na jedno pouzdro, což znamená 1024 bitů. Kombinovat se přitom dají čtyři nebo i více pouzder, díky čemuž se rozšiřuje také celková datová šířka, a tím i propustnost. Čili teoretické GPU využívající čtyři pouzdra s paměťmi HMB2E od Samsungu může nabídnout přes 1840 GB/s. Propustnost na pin pak činí přesně 3,6 Gb/s, čili v případě 1024bitového rozhraní je to přesně 460,8 GB/s. 

 

 

Jedno pouzdro pamětí Samsung HBM2 pak zvládne v případě 16 vrstev nabídnout až 16 GB kapacity, přičemž výrobce zde používá už obvyklou technologii vertikálních spojů TSV (Through Silicon Via), kterou využil už v předchozích HBM2 pro propojení jednotlivých vrstev. 

 

Čili, opět teoreticky, pokud by se NVIDIA či AMD rozhodla i pro své slabší karty využít paměti HBM2E, bohatě by jí postačilo pro kartu kalibru GeForce RTX 2080 jen jedno pouzdro s novými HBM2E. Reálně ale můžeme samozřejmě u takových karet očekávat spíše nové verze GDDR6. 

 

Samotný Samsung mluví spíše o využití svých pamětí v nové generaci AI systémů pro hluboké učení, HPC (High-Performance Computing) a míří s nimi také do éry exascale systémů, čili superpočítačů s výkonem v řádu exaFLOPS. To ale samozřejmě znamená také nové grafické akcelerátory firem NVIDIA, AMD a pravděpodobně i Xe od Intelu. 

 

Dle výše odkazované starší zprávy by ale Samsung snad měl být později schopný nabídnout i HBM2E s propustností 4,2 Gb/s na pin, čili s 537,6 GB/s na jedno pouzdro se 1024bitovým rozhraním.