SK hynix začal velkosériovou výrobu 12vrstvých pamětí HBM3E s kapacitou 36 GB
Dnes, Milan Šurkala, aktualita
Výkonné výpočetní karty budou moci využít nových paměťových čipů společnosti SK hynix. Ty mají navýšenou kapacitu na 36 GB, přitom jsou stále stejně tlusté a zabírají tedy na kartě stejnou výšku.
Už před nějakou dobou oznámila společnost SK hynix vývoj nových pamětí HBM3E s 12 vrstvami. Ty doplní a nahradí stávající modely s 8 vrstvami, přičemž se firmě povedlo vyrobit jednotlivé DRAM čipy o tloušťce o zhruba 40 % menší, takže při 12 vrstvách a kapacitě o 50 % větší na jednotlivou vrstvu má výsledný čip přibližně stejnou výslednou tloušťku. K vrstvení byla použita technologie TSV. Jednotlivé čipy mají nyní kapacitu 3 GB, takže celý čip se dostal s kapacitou na hodnotu 36 GB.
Rychlost se zvýšila na 9,6 Gbps na pin, takže pokud bude grafická nebo výpočetní karta vybavena čtyřmi takovými čipy s celkovou kapacitou 144 GB, zvládne přesunout LLM Llama 3 70B se 70 miliardami parametrů 35krát během jediné sekundy. Technologie Advanced MR-MUF pomáhá potlačovat problémy plynoucí z vysokého počtu vrstev na sobě a o 10 % zlepšuje přenos tepla. Konkrétně jde o vstřikování tekutiny mezi jednotlivé vrstvy, což pak pomáhá lepšímu přenosu a vyzařování tepla. Nové čipy jsou už velkosériově vyráběny a k zákazníkům by měly zamířit ještě před koncem letošního roku.
Zdroj: wccftech.com, prnewswire.com
