Poslední dobou můžeme nabývat dojmu, že se jakoby všechno točí ohledně pamětí, přesněji řečeno okolo nových technologií. Někteří výrobci již dokonce ohlašují základní desky s podporou DDR SDRAM paměťových modulů (samozřejmě kromě grafických karet, které přicházely s podporou DDR o něco dříve). Ale vraťme se raději ke grafikám, zde i přes různorodost vývoje nebyla doposud potřeba integrovaných frame bufferů příliš akutní (pravděpodobně především z hlediska cenového).
S čím se tedy budeme moci v budoucnu setkat ? Integrovaná frame buffer paměť pro grafické čipy by měla začít výrobně na 0.15 mikronové DRAM technologii. Pro srovnání - paměťové pole (tvořené pamětí a příslušnou logikou) o velikosti 1 MB by mělo být seskupeno z obdobných bloků jako používá Micron u samostatných DRAMů.
Velký rozdíl mezi "čistým" DRAM výrobním procesem a DRAM/logickým procesem je ve zvýšení počtu metalických vrstev potřebných pro přidání logických obvodů. Micron používá relativně málo vrstev při výrobě DRAM a tak by měl tedy poměrně snadno nalézt způsob pro přidání další(dalších) metalické vrstvy. Také proto, že již používá chemicko mechanické leštění (CMP) svých waferů (oplatků/destiček s budoucími čipy).
Micron zamýšlí výrobu grafické jednotky s názvem V4400, která by byla vybavena 12-ti MB embedded DRAM. Takovýto návrh by představoval více než 125 milionů tranzistorů. Přičemž každý DRAM blok by měl 128-bitový I/O bus včetně řídící logiky, která umožní aby data mohly téci po 1 Mbitových blocích. Při demonstraci s čipsetem Samurai se zvýšila výkonnost o 15 procent. Jistě si řeknete, že na první pohled to není až zas takový výkon, ale každé procento je jen k dobru…
Zdroj Virtual-Zone
S čím se tedy budeme moci v budoucnu setkat ? Integrovaná frame buffer paměť pro grafické čipy by měla začít výrobně na 0.15 mikronové DRAM technologii. Pro srovnání - paměťové pole (tvořené pamětí a příslušnou logikou) o velikosti 1 MB by mělo být seskupeno z obdobných bloků jako používá Micron u samostatných DRAMů.
Velký rozdíl mezi "čistým" DRAM výrobním procesem a DRAM/logickým procesem je ve zvýšení počtu metalických vrstev potřebných pro přidání logických obvodů. Micron používá relativně málo vrstev při výrobě DRAM a tak by měl tedy poměrně snadno nalézt způsob pro přidání další(dalších) metalické vrstvy. Také proto, že již používá chemicko mechanické leštění (CMP) svých waferů (oplatků/destiček s budoucími čipy).
Micron zamýšlí výrobu grafické jednotky s názvem V4400, která by byla vybavena 12-ti MB embedded DRAM. Takovýto návrh by představoval více než 125 milionů tranzistorů. Přičemž každý DRAM blok by měl 128-bitový I/O bus včetně řídící logiky, která umožní aby data mohly téci po 1 Mbitových blocích. Při demonstraci s čipsetem Samurai se zvýšila výkonnost o 15 procent. Jistě si řeknete, že na první pohled to není až zas takový výkon, ale každé procento je jen k dobru…
Zdroj Virtual-Zone
