Toshiba a Hynix spojují síly při vývoji MRAM

Společnosti Toshiba a Hynix oznámily, že jsou připraveny spolupracovat na budoucím vývoji a výrobě pamětí typu Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM). Jedná se o paměti, o jejichž výrobu se společnosti snaží již delší dobu.
Paměti MRAM mají tu výhodu, že jsou stálé, takže nepotřebují být napájeny k tomu, aby si uchovali informaci. To činí pomocí přepólování tenké magnetické vrstvy, což je způsob, který je ve srovnání s klasickými DRAM energeticky efektivnější, takže se jejich využití předpokládá u budoucích mobilních zařízení. Výkonnostně by na tom také měly být dobře, a tak by se mohly dočkat i klasické PC, u nichž by to znamenalo také úspory energie a rychlou hibernaci a zotavení se z ní.

Kiyoshi Kobayashi z firmy Toshiba uvedl, že vidí v MRAM velký potenciál jako náhradu za RAM a nejen za ty. Prý budou silně prosazovat integraci úložných zařízení založených na MRAM, NAND i HDD. Prozatím ale Toshiba s Hynixem neuvádí, kdy bychom se mohli dočkat hotových produktů, a to ani odhadem, takže se rozhodně nedá říci, že by byly za rohem.

Zdroj: TCM