Toshiba připravila nové paměti XL-FLASH pro výkonná SSD
5.8.2019, Jan Vítek, aktualita
![Toshiba připravila nové paměti XL-FLASH pro výkonná SSD](navstevnost-a-redakce/1/img/website-800.jpg)
Společnost Toshiba Memory vypouští do světa nové výkonné paměti XL-FLASH, které jsou určeny pro SSD do náročných podmínek. Firma se chlubí, že tyto paměti tvoří most mezi NAND Flash a DRAM, ale jde skutečně o něco tak výjimečného?
Právě o vytvoření potřebného článku mezi DRAM a NAND Flash se se svými 3D XPoint snaží Intel s Micronem, což se jim ne tak zcela daří, i když my to posuzujeme možná až příliš z hlediska běžných zákazníků, jimž dnešní Optane od Intelu nemají moc co nabídnout. Nad druhou stranu to, že 3D XPoint ještě nejsou to pravé, dokazuje i sám Micron, který sice ohlásil produkty na nich založené, ale dosud je ani nezačal prodávat.
![](toshiba-pripravila-nove-pameti-xl-flash-pro-vykonna-ssd/49886/img/XL-FLASH Image_678x452.png)
Takže co jsou paměti XL-FLASH od Toshiby a jde o něco výjimečného? Z hlediska toho, čím XL-FLASH jsou, tu bohužel není výjimečné nic. V podstatě je to adaptace pamětí Z-NAND od Samsungu, čili v případě firmy Toshiba paměti BiCS FLASH upravené tak, aby využívaly SLC buňky. Do těch se tak zapisuje pouze jeden bit, díky čemuž je jejich programování velice rychlé a to se odráží jak na výkonu, tak na výdrži.
Pokud by totiž šlo jako obvykle o TLC nebo nově dokonce QLC buňky, kontroler by musel pracovat s osmi nebo šestnácti úrovněmi náboje. Takto rozeznává pouze dvě a na druhou stranu je jasné, že kvůli tomu také odpovídajícím způsobem klesá kapacita pamětí, čili na třetinu oproti TLC a čtvrtinu při porovnání s QLC. Proto je jasné, že SSD s XL-FLASH budou drahá a není divu, že budou také určena spíše pro podnikové účely.
Toshiba tak sice uvádí, že XL-FLASH sedí mezi DRAM a NAND Flash, ale to je pouze marketingový obrat, protože XL-FLASH prostě a jednoduše jsou NAND Flash. Nicméně je pravda, že firma je nechce využít pouze v podobě klasických SSD, ale také na zařízeních napojených přímo na paměťové kanály procesorů, čili třeba na NVDIMM.
Mezi klíčové vlastnosti patří kapacita 128 Gb na čip, jichž může být v pouzdře až osm pro celkovou kapacitu 128 GB. Jedna stránka má velikost 4 kB a zajímavý výkon by měla poskytnout 16úrovňová architektura, která by tak měla umožnit v rámci čipu přistupovat současně k celkem 16 jeho částem. Toshiba se dále chlubí, že zpoždění při čtení je méně než 5 mikrosekund, takže řádově méně v porovnání s TLC NAND Flash. Více se o výkonu a vlastnostech XL-FLASH zatím nedozvíme.
Zdroj: techPowerUp