TSMC chce do konce roku zdvojnásobit 40nm produkci a oznamuje plány do budoucna
1.3.2010, Jan Vítek, aktualita
Společnost TSMC oznámila, že produkce 40nm čipů v jejích továrnách má do konce tohoto roku vzrůst na dvojnásobek a zároveň přiznala, že měla s tímto procesem v minulosti problémy. Musela totiž využít nejen nové nástroje, ale také nové materiály...
Společnost TSMC oznámila, že produkce 40nm čipů v jejích továrnách má do konce tohoto roku vzrůst na dvojnásobek a zároveň přiznala, že měla s tímto procesem v minulosti problémy. Musela totiž využít nejen nové nástroje, ale také nové materiály a postupy, jako druhou generaci low-k dielektrik s hodnotou 2,5, nebo 193nm imerzní litografii.
Tento pokročilý výrobní proces pro výrobu 40nm čipů dnes sice využívá jen několik málo světových firem (i když ty jsou pro nás velmi zajímavé), ale přesto firma neočekávala, že poptávka bude tak silná. Momentálně má TSMC pro 40nm výrobu uzpůsobenou továrnu FAB 12, jež zvládne dodat 80 tisíc 300mm waferů za čtvrtletí. To by se mělo s přispěním FAB 14 zvednout koncem roku na dvojnásobek, tedy 160 tisíc waferů.
Zajímavá je rovněž zpráva, že TSMC hodlá začít s výrobou pomocí 22nm procesu v roce 2012, k tomu ale povede cesta přes 28nm technologii, přičemž 32nm bude nejspíše přeskočena, protože o ní na příslušné konferenci nepadlo z úst Shang-Yi Chianga ani slovo (Senior Viceprezident pro výzkum a vývoj, TSMC).
Nejdříve se má 28nm proces využít pod označením 28LP pro nízkospotřebová zařízení a až později přijde proces 28HP HKMG (high-k metal gate) pro výkonné čipy. Očekávejme jeho představení někdy v září tohoto roku. Na samém konci roku pak oba doplní 28HPL, což bude v podstatě jejich kombinace (HKMG pro nízkospotřebová zařízení).
Plánovaná výroba na 22nm se představí až v druhé polovině roku 2012, a to nejdříve pro výkonné čipy. Využije se zde druhá generace HKMG, stávající 193nm imerzní litografie (alespoň na začátku) a pak se přestoupí na EUV (Extreme Ultra-Violet) nebo "e-beam direct write" (litografie Electron Beam) - podle toho, co bude vyspělejší a výhodnější. Je zřejmé, že po celou dobu se bude firmě TSMC snažit šlapat na paty Globalfoundries, která má prostředky a díky IBM i zkušenosti na to, aby vytvořila nebezpečnou konkurenci.
Zdroj: X-bit labs
Tento pokročilý výrobní proces pro výrobu 40nm čipů dnes sice využívá jen několik málo světových firem (i když ty jsou pro nás velmi zajímavé), ale přesto firma neočekávala, že poptávka bude tak silná. Momentálně má TSMC pro 40nm výrobu uzpůsobenou továrnu FAB 12, jež zvládne dodat 80 tisíc 300mm waferů za čtvrtletí. To by se mělo s přispěním FAB 14 zvednout koncem roku na dvojnásobek, tedy 160 tisíc waferů.
Zajímavá je rovněž zpráva, že TSMC hodlá začít s výrobou pomocí 22nm procesu v roce 2012, k tomu ale povede cesta přes 28nm technologii, přičemž 32nm bude nejspíše přeskočena, protože o ní na příslušné konferenci nepadlo z úst Shang-Yi Chianga ani slovo (Senior Viceprezident pro výzkum a vývoj, TSMC).
Nejdříve se má 28nm proces využít pod označením 28LP pro nízkospotřebová zařízení a až později přijde proces 28HP HKMG (high-k metal gate) pro výkonné čipy. Očekávejme jeho představení někdy v září tohoto roku. Na samém konci roku pak oba doplní 28HPL, což bude v podstatě jejich kombinace (HKMG pro nízkospotřebová zařízení).
Plánovaná výroba na 22nm se představí až v druhé polovině roku 2012, a to nejdříve pro výkonné čipy. Využije se zde druhá generace HKMG, stávající 193nm imerzní litografie (alespoň na začátku) a pak se přestoupí na EUV (Extreme Ultra-Violet) nebo "e-beam direct write" (litografie Electron Beam) - podle toho, co bude vyspělejší a výhodnější. Je zřejmé, že po celou dobu se bude firmě TSMC snažit šlapat na paty Globalfoundries, která má prostředky a díky IBM i zkušenosti na to, aby vytvořila nebezpečnou konkurenci.
Zdroj: X-bit labs
