Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

UltraRAM získává 1,1 mil. GBP od vlády pro další vývoj pamětí, které udrží informaci 1000 let

19.7.2024, Milan Šurkala, aktualita
UltraRAM získává 1,1 mil. GBP od vlády pro další vývoj pamětí, které udrží informaci 1000 let
Pamětí, které by měly kombinovat výhody DRAM a Flash, jsme tu už měli několik. Zatím se ale žádná neprosadila do mainstreamu (trochu se tomu blížil Intel Optane). Dalším pokusem je UltraRAM od Quinas Technology. Ta by měla informace udržet po dobu 1000 let.
Paměti DRAM mají výhodu ve vysoké rychlosti a životnosti (v podstatě neomezený počet přepisů), nicméně jde o volatilní paměti, takže k udržení informace potřebují být neustále obnovovány. Paměti Flash jsou oproti tomu non-volatilní, takže toto napětí pro udržení nepotřebují, nicméně nejsou až tak rychlé, a s tím, jak roste počet bitů na paměťovou buňku, se také zkracuje doba udržení informace, takže i zde se objevuje problém s dlouhodobým udržením informace (u QLC je to v řádu měsíců). Paměť UltraRAM od společnosti Quinas Technology by toto ale měla řešit a k tomu, aby vše došlo zdárnému konci, by měla přispět i finanční podpora britské vlády přes Innovate UK. Ta činí 1,1 milionu britských liber (cca 33 mil. Kč). Z laboratoří a prvních prototypů by se měly tyto paměti dostat do skutečné výroby. Nakolik ale tento příspěvek pomůže, to je zatím ve hvězdách.
 
Za pamětmi UltraRAM stojí vědci z univerzit v Lancasteru a Warwicku, přičemž by měly kombinovat rychlosti a životnost pamětí DRAM a non-volatilitu Flash posunout ještě o několik řádů dál. Mluví se o tom, že by měl vydržet 10 milionů přepisovacích cyklů (dnešní Flash jsou obvykle někde okolo 600-700) a udržet data bez napájení po dobu 1000 let (Flash obvykle v měsících). Měly by být také energeticky efektivní. Energie na přepis bit na jednotku plochy (a tady může být zakopaný pes, protože neznáme hustotu, ta může být řádově nižší) má být 10.000krát nižší než u jiných konkurenčních řešení, 1.000krát nižší než u Flash a 100krát nižší než u RAM. Současně se mluví o tom, že čtení je nedestruktivní jako u Flash (nemaže přečtenou informaci).
 
UltraRAM má fungovat na principu extrémně tenkých vrstev InAs/AlSb, které vytváří strukturu TRBT (Triple-Barrier Resonant-Tunelling). Ta se přepíná mezi zamčeným a odemčeným stavem aplikací napětí 2,5 V. Základem pamětí jsou polovodiče typu III-V. Myslíte si, že tento pokus bude úspěšný a půjde o paměti, které se uchytí na trhu? A pokud ano, kterém?
 


Autor: Milan Šurkala
Vystudoval doktorský program v oboru informatiky a programování se zaměřením na počítačovou grafiku. Nepřehlédněte jeho seriál Fotíme s Koalou o základech fotografování.