UMC vytvořilo své první 45nm SRAM čipy
22.11.2006, Jan Vítek, aktualita
United Microelectronics Corporation, stěžejní společnost na poli polovodičů, včera oznámila, že vyprodukovala své první 45nm SRAM paměti. Tato technologie přináší do procesu výroby nové materiály i nové postupy a firma je na své prvenství...
United Microelectronics Corporation, stěžejní společnost na poli polovodičů, včera oznámila, že vyprodukovala své první 45nm SRAM paměti. Tato technologie přináší do procesu výroby nové materiály i nové postupy a firma je na své prvenství patřičně hrdá. Avšak nezmínila se o tom, kdy se chystá uvést nový postup do komerční podoby.
Místo zrodu 45nm SRAM od UMC - FAB 12A, Tainan, Taiwan
Firma k výrobě využila tzv. ponořené litografie, která dovoluje jemnější optické rozlišení, ale zase klade vysoké nároky na čistotu vody mezi optikou a 300mm waferem. Dále byly použity poslední technologické výkřiky jako low-k dielektrika (k=2,5), 'ultra shallow junction' a další techniky. Díky výraznému zmenšení čipu se i snížilo napětí potřebné k uživení pamětí, což je další předpoklad pro příznivý vývoj mobilních zařízení. Oproti 65nm technologii se také buňky zmenšily o 50% a výkon navýšil o 30%. UMC nyní pracuje na tom, aby 45nm technologii připravil pro adopci svými zákazníky.
Zdroj: X-Bit labs
Místo zrodu 45nm SRAM od UMC - FAB 12A, Tainan, Taiwan
Firma k výrobě využila tzv. ponořené litografie, která dovoluje jemnější optické rozlišení, ale zase klade vysoké nároky na čistotu vody mezi optikou a 300mm waferem. Dále byly použity poslední technologické výkřiky jako low-k dielektrika (k=2,5), 'ultra shallow junction' a další techniky. Díky výraznému zmenšení čipu se i snížilo napětí potřebné k uživení pamětí, což je další předpoklad pro příznivý vývoj mobilních zařízení. Oproti 65nm technologii se také buňky zmenšily o 50% a výkon navýšil o 30%. UMC nyní pracuje na tom, aby 45nm technologii připravil pro adopci svými zákazníky.
Zdroj: X-Bit labs
