Universal Memory s neomezenou výdrží navrhována jako náhrada pro DRAM i SSD

Vědci ze zmíněné univerzity si už na americkém patentovém úřadě zaregistrovali svou technologii na zbrusu nové paměťové zařízení, které by mohlo "vyřešit energetickou krizi digitálních technologií". Jde tak evidentně o vývoj takové technologie, která bude nabízet výkon srovnatelný s DRAM a nabídne přitom na rozdíl od DRAM stálé ukládání dat bez potřeby neustálého přísunu energie, čili stejně jako NAND Flash či 3D XPoint. Tím by tedy zvláště v serverech odpadla značná část spotřeby, neboť paměti by energii potřebovaly pouze při čtení nebo zápisu. Nicméně zmínka o energetické krizi digitálních technologií i tak působí značně nadneseně. K tomu se ještě dozvíme, že nová paměťová technologie má v moci snížit spotřebu datových center o pětinu. 

 

 

O samotné technologii se toho ze zveřejněných informací moc nedozvíme, ale podrobnější informace nabízí Nature. Mluvit můžeme o výsledných zařízeních, která dostala označení Universal Memory a která využívají kvantovou mechaniku k tomu, aby si výrobci pamětí nemuseli vybírat buď stabilní a dlouhodobé ukládání dat, nebo úsporný způsob jejich mazání a zápisu. 

 

Paměťové buňky mezi elektrodami se skládají z různě silných vrstev z InAs a GaSb a máme tu znázorněny i z pamětí Flash dobře známé vrstvy CG a FG (Control a Floating Gate), přičemž právě v FG by měl být uložen náboj tvořený elektrony, jak ostatně znázorňuje i první část obrázku (a). Mezi CG a FG pak máme "resonant-tunnelling barrier" tvořenou vrstvami InAs, které zde fungují jako kvantové studně či jámy, jež zase známe jako energetické pasti a FG od kanálu zase izoluje 15nm vrstva AlSb. Dle autorů této technologie by měl být elektronový náboj v takové paměti velice dobře uschován v podstatě po neomezenou dobu, a to při obvyklých pokojových teplotách. Zmíněn byl i předpoklad udržení náboje po dobu 10¹⁴ let, což jen tak mimochodem překonává uváděné stáří vesmíru.

 

A co se týče energie nutné pro zápis či mazání dat, ta má být asi 100x nižší oproti dnešním DRAM, takže nejde pouze o to, že by Universal Memory byly úspornější díky tomu, že nepotřebují být napájeny pro udržení informace. Jde i o energii nutnou při manipulaci s daty. Nicméně zatím jde pouze o částečně patentovanou technologii, která čeká na přidělení ještě dalších patentů, takže k paměťové revoluci je ještě daleko. Dost možná také o ní už nikdy neuslyšíme. 

 

Zdroj: Nature