Vinikajuci prehladovy clanok, vdaka. Rad by som sa opytal na nazor ohladom vyvoja dalsich pristupov, ktore musia uz byt logicky vo vyvoji pre sub 11nm procesne nody. Napriklad pouzitie dvojdimenzionalneho elektronoveho plynu ­(2DEG­) napriklad na baze GaAs­/AlGaAs polovodicovych heterostruktur, co sa tyka materialoveho vyskumu. Dalej, zvazovanie pouzitia alternativnych ­"spinacov­" ­(odklon od CMOS­) napriklad jednoelektronove tranzistory ­(SET­). Co sa tyka dizajnu, riesenie kvantovych efektov, vzhladom na stale sa zmensujuci rozmer kanala. Este otazka do buducnosti: dokedy bude preferovany pristup top­-to bottom, a kedy ocakavame masovejsie rozsirenie bottom­-up inzinieringu?

Uděluji pochvalu za skvělý článek.

Parádní článek s maximálním obsahem. Podobný přehled jsem ještě nikde nenašel...