Ne, nebude zase řeč o pivu, ale o technice thermal atomic level etching, čili thermal ALE. Pomocí ní na MIT vytvořili pouze 2,5 nm široký 3D tranzistor, který na první pohled odpovídá typu GAA - Gate All Around. Máme to správně?
12.12.2018, Jan Vítek, aktualita
Spolu so zmenšovaním rozmeru riadiaceho hradla tranzistorov na úroveň 4 až 5 atomárnych vrstiev GaAs (mriežková konštanta GaAs = 0,565 nm) ma zaujala správa Intelu zo včera o 3D stohovaní logických obvodov (podobne ako napr. HBM).
https://newsroom.intel.com/wp-content/uploads/sites/11/2018/12/3d-packaging-a-catalyst-for-product-innovation.jpg
https://newsroom.intel.com/wp-content/uploads/sites/11/2018/12/3d-packaging-a-catalyst-for-product-innovation.jpg
Odpovědět0 0
A pardón, nie je to rozmer hradla ale kanálu. Mea culpa.
Odpovědět0 0
@ ... typu GAA - Gate All Aroud. Máme to správně?
Nemáte. Správně je Around. :)
Nemáte. Správně je Around. :)
Odpovědět0 0
Tak teď.
Odpovědět0 0
Nechci rýpat, ale pokud to co na fotce ukazují je celý tranzistor, tak má rozměr tak 8*30 nm. Podle ukázaného rozměru 3 nm mezi šipkami.
Odpovědět0 0
Vycházím z textu, v něm se uvádí 2,5 nm pro celý tranzistor a v popisku obrázku s příčným řezem pak 3 nm, ale opět pro celý tranzistor.
Takže nevím, buď je to správně na fotce, nebo v textu. Ještě se na to podívám.
Takže nevím, buď je to správně na fotce, nebo v textu. Ještě se na to podívám.
Odpovědět0 0
Bude to opravdu jen 2,5 až 3 nm tlusté žebro tranzistoru, takže oněch 2,5 nm můžeme brát spíš jako 2,5nm technologii/rozlišení. Opraveno.
Odpovědět2 0
Zajímá Vás tato diskuze? Začněte ji sledovat a když přibude nový komentář, pošleme Vám e-mail.
Nový komentář k článku
Pro přidání komentáře se přihlaste (vpravo nahoře). Pokud nemáte profil, zaregistrujte se pro využívání dalších funkcí.
reklama
reklama
Z dalších serverů
