Toshiba vyrobila 19nm paměti NAND Flash
21.4.2011, Jan Vítek, aktualita
![Toshiba vyrobila 19nm paměti NAND Flash](navstevnost-a-redakce/1/img/website-800.jpg)
Minulý týden se firmy Intel a Micron pochlubily, že již umí ve svém podniku IM Flash Technologies vyrobit první paměti NAND Flash pomocí 20nm procesu, a to konkrétně 8GB čipy s buňkami MLC. Nyní však přispěchala firma Toshiba s prohlášením,...
Minulý týden se firmy Intel a Micron pochlubily, že již umí ve svém podniku IM Flash Technologies vyrobit první paměti NAND Flash pomocí 20nm procesu, a to konkrétně 8GB čipy s buňkami MLC. Nyní však přispěchala firma Toshiba s prohlášením, z nějž nemohou mít velkou radost.
![](toshiba-vyrobila-19nm-pameti-nand-flash/32494/img/body-0.30E.gif)
Toshiba totiž využila pro své nejnovější NAND Flash 19nm výrobní proces, který se tak stal světově nejvíce pokročilým. Využila jej pro výrobu prvních vzorků 64Gb (8GB) pamětí, a to rovněž typu MLC (2 bity na buňku - 2 bpc), přičemž chystá i 19nm paměti se 3 bity na buňku.
První vzorky 8GB NAND Flash (2 bpc) budou partnerům firmy k dispozici na konci tohoto měsíce a výroba ve velkém se má rozjet ve třetí čtvrtině tohoto roku, tedy zhruba ve stejném období, které plánuje i Intel a Micron. Mezi konkrétní aplikace budou patřit i moduly využívající šestnáct 8GB pamětí s celkovou kapacitou 128 GB, které si najdou cestu do chytrých telefonů a tabletů. Navíc nabídnou rozhraní "Toggle DDR2.0" dosahující propustnosti až 400 Mbps, které Toshiba vyvíjí společně s firmou Samsung.
Zdroj: techPowerUp!, TheTechJournal
![](toshiba-vyrobila-19nm-pameti-nand-flash/32494/img/body-0.30E.gif)
Toshiba totiž využila pro své nejnovější NAND Flash 19nm výrobní proces, který se tak stal světově nejvíce pokročilým. Využila jej pro výrobu prvních vzorků 64Gb (8GB) pamětí, a to rovněž typu MLC (2 bity na buňku - 2 bpc), přičemž chystá i 19nm paměti se 3 bity na buňku.
První vzorky 8GB NAND Flash (2 bpc) budou partnerům firmy k dispozici na konci tohoto měsíce a výroba ve velkém se má rozjet ve třetí čtvrtině tohoto roku, tedy zhruba ve stejném období, které plánuje i Intel a Micron. Mezi konkrétní aplikace budou patřit i moduly využívající šestnáct 8GB pamětí s celkovou kapacitou 128 GB, které si najdou cestu do chytrých telefonů a tabletů. Navíc nabídnou rozhraní "Toggle DDR2.0" dosahující propustnosti až 400 Mbps, které Toshiba vyvíjí společně s firmou Samsung.
Zdroj: techPowerUp!, TheTechJournal