Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http:­/­/www.winbond.com­/e­-winbondhtm­/partner­/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:

Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.

1GB ­(DUAL 2x512­) DDR500 MUSHKIN Redline PC4000 CAS 2­-2­-2
Ačkoliv je paměť napájena napětím vyšší úrovně ­(až 3.5 V­), než jak je tomu v případě jiných typů a značek, jde toto napětí do paměťového modulu, nikoliv však po datových linkách do CPU, jak se mnozí chybně domnívají. K poškození CPU ­(ani ke snížení jeho životnosti­) tedy nemůže dojít. Datové informace jdoucí do paměťového řadice CPU už jsou na jiném napětí, než kterým je paměť napájena ze základní desky.

Chtěl bych se zeptat, jak je to se 4­-mi moduly u jádra Venice E6? Někde v ceníku jsem viděl 1x Kingmax HardCore DIMM 512MB DDR 500MHz s časováním 3­-3­-3­-7­-1 za 1959,­-, což mi připadá jako perfektní cena. Z těchto modulů by se dalo levně složit 2GB paměti. Navíc jsem slyšel, že při zvýšeném napětí na 2,8V, dají časování 2,5­-3­-3­-7­-1 při 500MHz, což je za ty peníze paráda. Má někdo s těmito moduly zkušenost? Případně, jak moc dochází ke zpomalení pamětí, když se musí snížít command rate na 2T?

Už delší dobu sháním,kde se dá u nás koupit ?

K napeti RAM a zniceni procesoru: Uz vice nez pul roku provozuji OCZ VX na 3.4V s procesorem Winchester, potom San Diego, procesoru to vubec nevadi, je to jenom alibismus AMD. Ale musim se pozastavit na opomenuti autora sdelit vsem ZE TYTO PAMETI JE NUTNO VSKUTKU vyrazne CHLADIT aktivnim vetrakem pri napeti nad 3.2V, teplota je v tomto pripade uz vice nez neunosna a pameti hreji tak ze z nich sala zar jak z pece.

Fox Comp maji i dalsi modely tak doufam ze nezustane jen u teto rady Redline a pujci vam i dalsi lahudky.

autor nam mari hledani prvocisel na nestabilni sestave, overovani vysledku za normalniho provozu je provadeno pouze dvema
ruznymi metodami vypoctu a jejich naslednym porovnanim, zatimco u StresTestu ­(Torture testu­) se kontroluji jiz zname vysledky, to odhali stabilitu spolehliveji, ostatne stres test doporucuji provest pred zahajenim skutecne prace i tvurci programu ­(kdyby byla detekce stejne spolehliva v obou pripadech, nedoporucovali by to, slo by rovnou pracovat­) nicmene pripadne chybne nalezeni je overovano jeste potom na vlastnim serveru, ale co nenalezeni?
- blizsi info na www.mersenne.org

Na Winbondech UTT je bohužel smutné, že je nelze použít s Athlonem 64. Dokumentace AMD hovoří jasně:

Kapitola 7.1 ­- Absolute Maximum Ratings:
"Stresses greater than those listed in Table 12 may cause permanent damage to the device and motherboard. Systems using this device must be designed to ensure that these parameters are not violated. Violation of these ratings will void the product warranty. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.­"

MEMVREF input voltage relative to VSS: –1 V to 2.9 V
Input voltage relative to VSS for DDR SDRAM memory interface and Miscellaneous pins: –1 V to 2.9V

ale inak su to ti pamety velyce dobri