Samsung představuje paměti HBM3E Shinebolt, dosahují vysokých 9,8 Gbps na pin
24.10.2023, Milan Šurkala, aktualita
Paměťové propustnosti není nikdy dost a společnost Samsung tak představuje paměti HBM3E, které dosahují ještě vyšších přenosových rychlostí než tentýž typ čipů od konkurenční společnosti Micron.
Nvidia GH200 Grace Hopper Superchip využívá nový typ pamětí HBM3E od Micronu, nicméně společnost Samsung nyní přináší jejich ještě rychlejší varianty. Jmenují se HBM3E Shinebolt a dle Samsungu dosahují extrémně vysoké rychlosti 9,8 Gbps na pin, jsou tedy už na dostřel kulaté hranici 10 Gbps na pin. To má stačit na dosažení propustnosti přes 1,2 TB/s (na 1024bitové sběrnici). Pro lepší vedení tepla byla využita technologie NCF, která eliminuje mezery mezi jednotlivými vrstvami čipu. Využití mají najít především v systémech pro trénování a běh (inferenci) algoritmů umělé inteligence. Zatímco paměti HBM3 už Samsung velkosériově vyrábí, nově představené čipy HBM3E Shinebolt jsou vyráběny v omezeném množství a vzorky jsou teprve rozesílány partnerům.
Na Memory Tech Day ale Samsung ale také pohovořil o nových 3D strukturách pro paměti DRAM, které mají být vyráběny sub-10nm procesem a vytvořit čipy s kapacitou přes 100 Gb. Nyní vyrábí DRAM 12nm technologií a pracuje na 11nm procesu. Také se vyvíjí technologie pro 1000vrstvé paměti V-NAND. Aby toho nebylo málo, vedle nedávno představených LPDDR5X CAMM2 se 7,5Gbps čipy ukázal také varianty s 9,6Gbps modely. Dalším novým produktem bylo Detachable AutoSSD s kapacitou 4 TB a rychlostí 6500 MB/s. Už podle názvu jde o odnímatelné SSD, což má umožnit výrobcům aut upgrade za větší model.
