Hynix a IBM budou spolupracovat na vývoji PCRAM
13.6.2012, Jan Vítek, aktualita
Známé společnosti Hynix a IBM dnes oznámily, že podepsaly dohodu o spolupráci na vývoji technologie Phase Change Random Access Memory (PCRAM). Na těch pracoval již dříve také Samsung a v minulém roce samotné IBM oznámilo pokroky v jejich...
Známé společnosti Hynix a IBM dnes oznámily, že podepsaly dohodu o spolupráci na vývoji technologie Phase Change Random Access Memory (PCRAM). Na těch pracoval již dříve také Samsung a v minulém roce samotné IBM oznámilo pokroky v jejich vývoji.
IBM tedy do spolupráce přinese své dlouholeté zkušenosti s PCRAM a také s technologií MLC (Multi-Level Cell), s níž je vyráběna většina spotřebitelských SSD. Hynix má zase za sebou již prototyp 1Gb čipu PCRAM vyrobeného 40nm procesem, a tato firma by tak měla poskytnout výrobní kapacity pro nově vyvinuté paměti.
PCRAM mají oproti klasickým DRAM výhodu, že nepotřebují být pod napětím, aby si udržely informaci a ve srovnání s NAND Flash jsou zase výkonnější a mají o mnoho vyšší počet možných mazacích a zapisovacích cyklů. To je ostatně u operačních pamětí velmi důležitá vlastnost. Počítač nebo jiné zařízení s takovými paměťmi by se tak mohlo hibernovat a následně se ihned zapnout bez bootování do svého původního stavu.
Výkon PCRAM má dnešní NAND Flash překonat asi stonásobně a výdrž pak tisícinásobně. Oproti DRAM pak mají spotřebovat méně energie, takže jejich potenciál můžeme vidět především u mobilních zařízení. IBM také uvádí, že oproti jiným pamětím mají i jednodušší strukturu, což se zase projeví na značně levnější produkci.
Nové paměti by tedy mohly přemostit svět DRAM a SSD, a tím značně pozměnit svět počítačových pamětí a v důsledku celý elektronický průmysl. Dle firmy Gartner můžeme očekávat, že jejich trh odstartuje na "hodnotě" 1,4 miliardy USD a následně stabilně poroste.
Zdroj: TZ IBM
IBM tedy do spolupráce přinese své dlouholeté zkušenosti s PCRAM a také s technologií MLC (Multi-Level Cell), s níž je vyráběna většina spotřebitelských SSD. Hynix má zase za sebou již prototyp 1Gb čipu PCRAM vyrobeného 40nm procesem, a tato firma by tak měla poskytnout výrobní kapacity pro nově vyvinuté paměti.
PCRAM mají oproti klasickým DRAM výhodu, že nepotřebují být pod napětím, aby si udržely informaci a ve srovnání s NAND Flash jsou zase výkonnější a mají o mnoho vyšší počet možných mazacích a zapisovacích cyklů. To je ostatně u operačních pamětí velmi důležitá vlastnost. Počítač nebo jiné zařízení s takovými paměťmi by se tak mohlo hibernovat a následně se ihned zapnout bez bootování do svého původního stavu.
Výkon PCRAM má dnešní NAND Flash překonat asi stonásobně a výdrž pak tisícinásobně. Oproti DRAM pak mají spotřebovat méně energie, takže jejich potenciál můžeme vidět především u mobilních zařízení. IBM také uvádí, že oproti jiným pamětím mají i jednodušší strukturu, což se zase projeví na značně levnější produkci.
Nové paměti by tedy mohly přemostit svět DRAM a SSD, a tím značně pozměnit svět počítačových pamětí a v důsledku celý elektronický průmysl. Dle firmy Gartner můžeme očekávat, že jejich trh odstartuje na "hodnotě" 1,4 miliardy USD a následně stabilně poroste.
Zdroj: TZ IBM
