Platform Conference 2003: Detaily o DDR-II a další…

Na letošní Platform Conference 2003, která se koná v Kalifornii, odhalují výrobci mnoho nových a zajímavých informací. Krátce se zmíním, že bylo oznámeno datum vypuštění Bartonu (viz tento článek) a naznačeno, že tento procesor by mohl časem přejít na 400MHz FSB. Zajímavější informací od AMD byla ale příprava druhé verze sběrnice HyperTransport.

Tato univerzální sběrnice bude ve své druhé verzi podle konsorcia HyperTransport vypuštěna na přelomu tohoto a nadcházejícího roku. HyperTransport 2.0 umožní na jeden pár kontaktů propustnost 3-5Gbps, a tedy 16bitový HyperTransport by měl umožnit až 20GB/s a 32-bitový pak 40GB/s. V současnosti je výkon sběrnice 1600Mbps na kontakt, což je u 32bitového HyperTransportu maximálně 1,8GB/s. Jen doplním, že minulý týden byla představena specifikace HyperTransport 1.05.
Mnohem zajímavější je ale informace o pamětech typu DDR-II. Sdružení JEDEC vybralo pro tuto generaci oficiální názvy, které budou vypadat takto:

• PC2-3200 – DDR-II 400, 3,2 GB/s
• PC2-4300 – DDR-II 533, 4,3 GB/s
• PC2-5400 – DDR-II 667, 5,4 GB/s
• PC2-6400 – DDR-II 800, 6,4 GB/s

Stejně jako u DDR-I je v oficiálním označení vyjádřena nejvyšší propustnost daného typu pamětí. Později bylo na konferenci oznámeno i datum vypuštění pamětí DDR-II, které bylo bohužel z přelomu roku 2003/2004 přesunuto až na rok 2005. Jako důvod se uvádí protahování certifikace pamětí pro čipové sady a základní desky a také to, že výrobci počítačů neprojevují o DDR-II nějaký výraznější zájem. Kvůli těmto faktorům bude produkce DDR-II SDRAM opožděna přibližně o 12-18 měsíců. Konkrétnější data by měla být odhalena v dalším čtvrtletí. Naštěstí nejsou tímto zpožděním postiženy grafické paměti, které jsou propojeny s GPU point-to-point a nepotřebují tedy žádné certifikace apod.
Rok a půl je přeci jen dlouhá doba, po kterou by pravděpodobně výrobci počítačů nevystačili s PC2100 DDR SDRAM (už jen kvůli nízké propustnosti). Proto časovou prodlevu vyplní paměti DDR400. Přestože tyto jsou již podporovány čipsety nForce2, KT400 a SiS746FX, hromadného rozšíření se dočkají nejspíše s čipovými sadami Intel Canterwood a Springdale (Q2 2003). DDR400 podpoří i společnost ServerWorks, která připravuje čipset Grand Champion SLX na první pololetí tohoto roku.
Součástí Platform Conference musí být samozřejmě i demonstrace produktů různých výrobců. Společnost Micron Technology představila systém s paměťmi DDR-II 533 (tedy PC2-4300) a také poskytla pohled do budoucnosti. V prvním polovině roku 2003 plánuje společnost vypustit dvoukanálové moduly DDR333 (timing 2,5-3-3) a v polovině druhé pak dvoukanálové DDR400 (2,5-3-3).
Zajímavé je, že roadmap Micronu je svázána s procesory a čipsety společnosti Intel. Konkrétně DDR400 by měly být připraveny pro čipové sady i875P "Canterwood", i865PE "Springdale-PE" a i865G "Springdale-G" (Q2 2003). Později, současně s procesorem Intel Pentium 4 "Tejas", který by měl používat 1066MHz FSB, se objeví i paměťové moduly DDR2-400/533 od Micronu. Na příští rok chystá Micron ještě dvoukanálové paměti DDR533 (4-4-4), DDR333 (2-2-2) a DDR400 (3-3-3), moduly DDR-II 533 SO-DIMM pro notebooky chystá společnost až na druhou polovinu roku 2004.
Další společností, která prezentovala své produkty, byl největší výrobce pamětí na světě, Samsung. Na duben 2003 chystá tato společnost moduly DDR400 o kapacitě 512 MB. V druhém kvartále by měl také Samsung zvýšit produkci DDR333/400 na 50% celé výroby, na konci roku už to bude dokonce 80 %. Výroba DDR-II započne nejspíše jako u ostatních společností v roce 2005.

Dále prezentoval Samsung své plány pro výrobu paměťových modulů RDRAM, které sahají až do roku 2008. V druhé polovině letošního roku slibuje společnost představit 64-bitové moduly PC1200/1333 RDRAM, které by měly poskytnout sympatickou propustnost 9,6GB/s, resp. 10,7GB/s. Tato čísla ukazují, že RDRAM ještě nejsou zdaleka na hranici svých možností. V současnosti je nejvyšší propustnost DDR pamětí 6,4GB/s u dual-channel DDR400 (nForce2, za pár týdnů Canterwood a Springdale). Konkurencí čtyřkanálovým pamětem PC1200/1333 RDRAM budou DDR až v době vypuštění DDR-II 533/677, což bude podle výše uvedených zpráv až v roce 2005. Právě v letech 2004-05 se chystá Samsung vyrábět PC1600 RDRAM s propustností 12,8GB/s.
Nejrychlejším řešením pro paměti RDRAM je stále ještě i850E od Intelu, ačkoliv SiS se také snaží. Čipset SiS R658 zřejmě ještě není to pravé, ale čtyřkanálový R659 se SouthBridge SiS964 už bude jiná vesnice. Počkejme si, zda-li se RDRAM vrátí opět na výsluní.

Posledním artiklem společnosti Samsung je grafická paměť GDDR. Poslední roadmap ukazuje dostupnost 800/1000Mbps pamětí GDDR-II, které za pár dní až týdnů naleznete na grafických kartách GeForce FX 5800 a 5800 Ultra. Pro NV35 by měl Samsung připravenou další verzi GDDR-II s propustností 1200 – 1400Mbps. Napětí grafických pamětí bude sníženo z 2,5V na 1,8V a sníží se tím i vyzařované teplo (což ovšem nepomůže jádru NV30).
V roadmapě jsou dokonce i paměti další generace GDDR-III, kterých bychom se na rychlostech 1,5 – 2 Gbps mohli dočkat ve druhé polovině roku 2004. Analytici tvrdí, že v tu dobu by mohly grafické čipy dosahovat až 900MHz frekvencí a bude tedy nutno pamětí, které je "uživí". Zda bude GDDR-III bezproblémová i na vysokých kmitočtech nyní nikdo neví.

Poslední novinkou je možnost použití pamětí GDDR-III s grafickými čipy NV30 a R350. S možností implementace GDDR-II na Radeon 9700 se mluvilo již dříve, ale nyní podle zdrojů víme, že na NV30 a R350 by měla jít aplikovat i třetí generace pamětí (pár detailů výše). Zde jsou schémata zapojení pamětí GDDR-III s GPU GeForce FX a R300/R350:
Zdroje: Virtual Zone, Digit-Life