I když se společnosti CXMT daří dost dohánět náskok konkurence v oblasti DDR a LPDDR pamětí, v případě HBM se jí moc nedaří. Výtěžnost je dost nízká.
Paměťový trh sice ovládá trojice Samsung, SK hynix a Micron, nicméně čínská společnost ChangXin Memory Technologies, známá spíše pod zkratkou CXMT, se snaží proniknout na tento trh a zvýšit svůj tržní podíl. Zatímco v oblasti běžných DRAM pamětí CXMT dosahuje stále se zlepšujících výsledků a její podíl na trhu v druhém čtvrtletí 2026 vzrostl na 9-10 %, u mnohem složitějších pamětí HBM naráží na zeď. Jen pro zajímavost, výše zmíněná trojka v DRAM bere 87 %, konkrétně Samsung 38 %, SK hynix 25 % a Micron 24 %, CXMT je tak za touto trojicí s přehledem nejúspěšnější firmou.
Výroba pamětí HBM je výrazně náročnější než u standardních čipů DDR a LPDDR, protože vyžaduje komplikované vrstvení, a to dnes až 16 vrstev na sebe. Ty se propojují pomocí velmi jemných vertikálních vodičů TSV (Through Silicon Vias). Právě tat část procesu dělá CXMT výrazné problémy. Podle dostupných zpráv je celková výtěžnost u 8vrstvých pamětí HBM3 pouze kolem 25-30 %. To znamená, že z každé stovky vyrobených čipů jich zhruba 70-75 neprojde kontrolou kvality. Tím ale výroba nekončí a další čipy odpadají v následujících fázích výroby. Pro srovnání, SK hynix u stejné generace HBM3 dosahuje výtěžnosti nad 90 %, přičemž rozumná hranice pro velkosériovou produkci se v oboru pohybuje okolo 80 %.
