Společnost Elpida opět vylepšuje své DDR3 SDRAM paměti novými obvodovými technologiemi. Díky těmto novým technologiím mohl být počet vodičů signálů snížen na polovinu, což umožnilo rovněž snížit parazitních kapacit. Přístupová doba k cílové buňce v daném sloupci (Column Access Time) činí pouhých 8,75ns. Přitom je třeba napětí pouze 1,5V (DDR2 1,8V a DDR dokonce 2,5V). Dalším vylepšením jsou nové generátory signálů s dvěma typy čítačů. Jeden pro liché cykly, druhý pro sudé. Při vstupní frekvenci 800MHz dosahuje přenosové rychlosti 1,6Gbps (tedy jako 1600MHz). 512Mbit DDR3 SDRAM čipy Elpidy jsou vyráběny 90nm procesem, masová produkce začne s ohledem na požadavky trhu. Zdroj: www.elpida.com
Společnost Elpida opět vylepšuje své DDR3 SDRAM paměti novými obvodovými technologiemi. Díky těmto novým technologiím mohl být počet vodičů signálů snížen na polovinu, což umožnilo rovněž snížit parazitních kapacit. Přístupová doba k cílové buňce v daném sloupci (Column Access Time) činí pouhých 8,75ns.
Přitom je třeba napětí pouze 1,5V (DDR2 1,8V a DDR dokonce 2,5V). Dalším vylepšením jsou nové generátory signálů s dvěma typy čítačů. Jeden pro liché cykly, druhý pro sudé. Při vstupní frekvenci 800MHz dosahuje přenosové rychlosti 1,6Gbps (tedy jako 1600MHz).
512Mbit DDR3 SDRAM čipy Elpidy jsou vyráběny 90nm procesem, masová produkce začne s ohledem na požadavky trhu.
Zdroj:
