Společnost Elpida Memory prezentovala na sympoziu o VLSI obvodech v Honolulu technologie, které mají vylepšit výkon současných DRAM pamětí. První z nich, vyvinutá ve spolupráci s Hitachi, obsahuje vysokorychlostní paměťové pole, které využívá dvě paměťové buňky na jeden bit (twin-cell memory) společně s metodou nazvanou Three-stage-sensing. Využití se předpokládá pro rychlejší vyhledávání v síťových routerech a vyrovnávacích pamětech serverů. Elpida vyrobila 144 Mb prototyp, který pokazuje výjimečný výkon v porovnání s rychlými SRAM. Další technologie umožňuje rychlostní přenosy: 400 MHz pro DDR1 a 800 MHz pro DDR2.
Společnost Elpida Memory prezentovala na sympoziu o VLSI obvodech v Honolulu technologie, které mají vylepšit výkon současných DRAM pamětí. První z nich, vyvinutá ve spolupráci s Hitachi, obsahuje vysokorychlostní paměťové pole, které využívá dvě paměťové buňky na jeden bit (twin-cell memory) společně s metodou nazvanou Three-stage-sensing. Využití se předpokládá pro rychlejší vyhledávání v síťových routerech a vyrovnávacích pamětech serverů. Elpida vyrobila 144 Mb prototyp, který pokazuje výjimečný výkon v porovnání s rychlými SRAM. Další technologie umožňuje rychlostní přenosy: 400 MHz pro DDR1 a 800 MHz pro DDR2.
