Společnost Hynix představuje 4GB moduly DIMM zhotovené z 36 x 0.11µm 1Gbit DDR2-533 SDRAM čipů a 2GB SO-DIMM modulů DDR2-533 SDRAM. Tyto novinky jsou vyrobeny pro chipsety společnosti Intel podporující paměti DDR2 což nyní míří na i915 a i925. Podle Hinixu posílí tyto moduly postavení společnosti na celosvětovém trhu zvláště v oblasti DDR2 SDRAM. Jestli si pamatujete, korejská společnost již uvedla 1GB DDR2 RDRIMM na 1Gbitových základech pro servery a pracovní stanice. VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V I/O = SSTL_18 533Mbps/pin lineární výkonnost výkonnost až 4,300MB/s pod 64-bitovými systémy 4 a 8 délka balení Zapisovací latence = čtecí latence = 1 clock Off-chip výstupní kalibrování ovladači (OCD) On-die omezení (ODT)
Společnost Hynix představuje 4GB moduly DIMM zhotovené z 36 x 0.11µm 1Gbit DDR2-533 SDRAM čipů a 2GB SO-DIMM modulů DDR2-533 SDRAM. Tyto novinky jsou vyrobeny pro chipsety společnosti Intel podporující paměti DDR2 což nyní míří na i915 a i925. Podle Hinixu posílí tyto moduly postavení společnosti na celosvětovém trhu zvláště v oblasti DDR2 SDRAM. Jestli si pamatujete, korejská společnost již uvedla 1GB DDR2 RDRIMM na 1Gbitových základech pro servery a pracovní stanice.
- VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V
- I/O = SSTL_18
- 533Mbps/pin lineární výkonnost
- výkonnost až 4,300MB/s pod 64-bitovými systémy
- 4 a 8 délka balení
- Zapisovací latence = čtecí latence = 1 clock
- Off-chip výstupní kalibrování ovladači (OCD)
- On-die omezení (ODT)
