Společnosti IBM, GlobalFoundries a Samsung ve spolupráci s americkou univerzitou SUNY vyrobily první funkční tranzistory 7nm technologií. Musely přejít na novou SiGe technologii, kombinující křemík s germaniem.
IBM, GlobalFoundries, Samsung a SUNY (State University of New York) vyrobily v Albany ve státě New York první čipy
7nm technologií
. Přitom dnes se akorát přechází na 14nm výrobu a pracuje se na budoucím přechodu na 10 nm. Proti klasickým FinFET technologiím tu nenajdete čistý křemík, ale křemík je zde smíchán s germaniem (SiGe), aby při takto malinkých rozměrech tranzistory vůbec dokázaly vést dostatečný proud.
Další změnou bylo použití EUV litografie (Extreme Ultra Violet) s vlnovou délkou pouhých 13,5 nm (po srovnání, argon-fluoridový laser má 193 nm). IBM tvrdí, že vzhledem ke zmenšení vzdálenosti vrstev s tranzistory na 30 nm budou moci být nové čipy plošně o 50 % menší než ty vyrobené 10nm procesem. Při takové technologii se na plochu velikosti nehtu vejde 20 miliard tranzistorů. Počítá se také s 50% vylepšením poměru výkon/spotřeba. Proti dnešním 14nm čipům by pak rozdíly měly být ještě větší.
Nové technologie se ale jen tak brzy nedočkáme. Přechod na
se dá očekávat někdy na přelomu 2016 a 2017, se 7nm technologií a EUV litografií se patrně dříve než v roce 2018 nesetkáme. Nové čipy jsou jedním z výsledků 3miliardové 5leté investice společnosti IBM do vývoje čipů z roku 2014.
Zdroj:
,
