Zatím nejmenší buňku paměti flash se podařilo vyvinout vývojářům společnosti Infineon. Měří pouhých 20 nm, je tedy 5000krát menší než průměr lidského vlasu. Technologii inženýři nazvali FinFET (Fin Field Effect Transistor). Elektrony, jež jsou nosiči elektrického náboje a tudíž i informace, jsou umístěny v nitridové vrstvě. Ta je izolována od křemíkového žebra a báze. Paměti flash se využívají zejména v přenosných zařízeních nebo coby paměťové karty. Za 16 let, kdy se používají, se stále zmenšuje velikost pamětí a roste kapacita. Dosud se soudilo, že fyzikální možnosti tradiční výroby polovodičových součástek končí někde mezi 30 a 20 nm. Infineon se tak dotknul té spodní hranice.
Zatím nejmenší buňku paměti flash se podařilo vyvinout vývojářům společnosti Infineon. Měří pouhých 20 nm, je tedy 5000krát menší než průměr lidského vlasu. Technologii inženýři nazvali FinFET (Fin Field Effect Transistor). Elektrony, jež jsou nosiči elektrického náboje a tudíž i informace, jsou umístěny v nitridové vrstvě. Ta je izolována od křemíkového žebra a báze. Paměti flash se využívají zejména v přenosných zařízeních nebo coby paměťové karty. Za 16 let, kdy se používají, se stále zmenšuje velikost pamětí a roste kapacita. Dosud se soudilo, že fyzikální možnosti tradiční výroby polovodičových součástek končí někde mezi 30 a 20 nm. Infineon se tak dotknul té spodní hranice.
