Galerie 6
Intel představil 10nm technologii a slibuje 2,7násobnou hustotu tranzistorů
i Svět hardware
Aktualita Ostatní Intel

Intel představil 10nm technologii a slibuje 2,7násobnou hustotu tranzistorů

Jan Vítek

Jan Vítek

Intel se rozpovídal o své 10nm technologii, o níž tvrdí, že je o celou generaci napřed v porovnání s konkurenčními výrobními procesy. Prezentoval ji na svém Technology and Manufacturing Day v San Francisku, kde byly ukázány i zajímavé obrázky.

Reklama

Technology and Manufacturing Day byl o technologiích Intelu a určen byl analytikům, investorům a světovým médiím. To včetně videa nazvaného Leading at the Edge, které si můžete také prohlédnout.


Máme tu ale také řadu zajímavých materiálů a srovnání, které srovnávají intelovské a konkureční výrobní procesy, na nichž chtěla firma ukázat, jaké jsou rozdíly a že to její je prostě nejlepší. Takže co tu máme?

image
i Svět hardware

Intel operuje především s tím, že není 10 nm jako 10 nm. Jde mu především o srovnání velikosti jednotlivých prvků, jako jsou brány tranzistorů, a také o škálování velikosti těchto prvků. Srovnává také vlastní 14nm a 10nm technologii, z čehož je vidět, že se měly zmenšit všechny prvky a výsledkem má být obočí pozdvižující 2,7násobně vyšší hustota tranzistorů na stejném prostoru.

image
i Svět hardware

Intel tak tvrdí, že Mooreův zákon stále žije, a to i s ohledem na pokračující snižující se cenu tranzistorů. Co se týče přímého srovnání 14nm a 10nm technologie, Intel slibuje o 25 procent vyšší výkon při spotřebě nižší o 45 procent. Vedle toho má mít v rukávu také ještě lepší proces označovaný jako 10nm++, který má výkon ještě dále zvýšit o 15 procent a spotřebu snížit o 30 procent. Pokud je to tak, pak jsme skutečně zvědaví na to, co předvedou první 10nm procesory této firmy a velice zajímavě vypadá především 2,7násobná hustota tranzistorů.

image
i Svět hardware

Za to vše může nová technologie, kterou Intel označuje jako Hyper Scaling a ta se skládá ze dvou částí, a sice COAG (Contact Over Active Gate) a SingleDG (Single Dummy Gate). Díky COAG je vytvořen kontakt tranzistorové brány přímo na ní, kdežto před tím byl vedle ní, což šetří prostor. SingleDG představuje bránu, která není součástí tranzistoru a nachází se na okraji logické buňky, kterou izoluje od druhé. Nově se využívá jen jedna taková brána (tzv. dummy gate) namísto dvou, což opět výrazně šetří místem.

image
i Svět hardware

Intel plánuje využívat svou 10nm technologii po dobu tří let, než bude připravena 7nm, ale s tím nemůžeme automaticky počítat a spíše lze usuzovat, že nastane nějaké zdržení. Stacy Smith k tomu na svém blogu napsala, že v Intelu vždy hledí na tři generace dopředu, čili sedm až devět let a Mooreův zákon v tomto časovém horizontu rozhodně nemá přestat platit. To je zajímavý výrok vzhledem k tomu, že před několika lety se říkalo, že přední firmy v tomto oboru si už tak dalekou budoucností přestávají být jisty.

image
i Svět hardware

Zdroj:

Hexus.net


Reklama
Reklama

Komentáře

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

Reklama
Reklama
Reklama