Vypadá to, že již brzy nastane okamžik, kdy SSD dostihnou a nechají daleko za sebou HDD, respektive jejich kapacitu. Zmizí tak jedna z jejich velkých výhod, na niž SSD dosud nedosáhly, což zajistí také Intel s Micronem.
S novými paměťmi typu NAND Flash se v poslední době roztrhl pytel. Nedávno přišlo na trh nové SSD
, které jako první využívá 3D paměti V-NAND, včera
Toshiba představila své 48vrstvé paměti
, tedy také 3D a dnes se pochlubil i Intel se svým tradičním partnerem, firmou Micron. Představili 32vrstvé paměti 3D NAND Flash, které tak na ploše jednoho čipu nabídkou kapacitu 32 čipů.
Nové paměti využívají buď buňky MLC nebo TLC, takže dokáží uložit dva i tři bity do jedné, tzv. floating gate cell. Mohou tak dosáhnout kapacity 256 Gb nebo 384 Gb na jeden čip, čili 32 nebo 48 GB. Pokud se takovéto čipy poskládají do pouzder s kapacitou až 750 GB a využijí na SSD "tyčkách" formátu M.2, pak mohou jako výsledné zařízení nabídnout až 3,5 TB úložného prostoru. SSD ve 2,5" formátu pak mohou dosáhnout kapacity až 10 TB, což je maximální kapacita dnešních pevných disků. Ovšem taková SSD ještě nejsou na trhu a je také nutno dodat, že 10TB pevné disky jsou už na cestě a
, zatímco WD už své 10TB modely patřící do řady HelioSeal ohlásil. Jde ale pochopitelně o 3,5" disky.
3D NAND Flash od Intelu a Micronu také budou výhodnější na výrobu s ohledem na výslednou kapacitu ve srovnání s klasickými "rovinnými" paměťmi . Slibují také vysokou datovou propustnost, rychlý přístup k datům i náhodné čtení a zápis. To ale Intel ve své tiskové zprávě nijak neupřesnil. Dodal jen, že nabídnou i nové režimy spánku pro větší energetickou šetrnost, přičemž neaktivní paměti dokáží zcela odříznout od energie. To se přitom týká samostatným 3D čipů v rámci jednoho pouzdra. A stejně jako nové paměti od Toshiby mají i tyto dosáhnout delší životnosti, než předchozí typy.
Vypadá to tedy slibně, ovšem nová SSD nepřijdou hned. Intel teprve plánuje v létě odstartovat výrobu prvních vzorků, a hotové produkty tedy budou k dispozici někdy v příštím roce.
Zdroj: TZ
