Samsung prezentoval technologii ferroelektrických tranzistorů FeFET pro paměti NAND. Tato technologie by v budoucnu mohla výrazně snížit spotřebu pamětí.
Společnost Samsung prezentovala v časopise Nature koncept pamětí NAND využívajících tranzistory typu FeFET, tedy ferroelektrických. Ty jsou založeny na hafniu s příměsí zirkonu a polovodičových kanálech na bázi oxidů. Celý vtip této technologie je založen na tom, že odstraňuje základní problémy, kdy u běžných NAND jsou paměťové buňky v sérii a pro přístup k dané buňce je potřeba projít přes okolní buňky. Tyto operace ale vyžadují určitou úroveň napětí (Samsung to označuje jako “high-voltage pass”), což vede ke zbytečné spotřebě elektrické energie. Nabízí se snížení tohoto napětí, to ale omezuje možnost buňky uchovávat více stavů (tedy problém pro samotnou podstatu TLC, QLC,…, a s tím by pak souvisela snížená kapacita).
FeFET ale tento problém do značné míry řeší, protože tyto průchody nyní nevyžadují téměř žádné napětí (zero-voltage pass), což výrazně snižuje spotřebu, přitom tyto buňky zvládnou fungovat i v konfiguraci PLC, tedy s 5 bity na buňku. Podle Samsungu by tohle mělo vést k 96% snížení spotřeby ve srovnání s běžnými NAND.
Než ale začnete jásat, je potřeba si uvědomit, že jde o prezentaci technologie ve vědeckém časopise, což znamená velmi ranou fázi vývoje a jen ověřování konceptu. Pokud se něco takového objeví na trhu (např. za předpokladu, že to nebude pekelně drahé), tak to potrvá ještě několik let.
