Společnost Samsung na GTC 2026 ukázala novou generaci pamětí HBM4E. Ty by měly výrazně navýšit propustnost až na 4 TB/s na čip.
Odměníme každého! Vyplňte komunitní průzkum a získejte luxusní ceny
Kdo jste, na čem a co hrajete, jaký obsah konzumujete a jaký vztah máte k AI? Věnujte nám pár minut a jako dárek za vyplnění získáte slevu na nákup a šanci získat také další luxusní ceny.
Na konferenci Nvidia GTC 2026 nepředstavuje své novinky jen Nvidia, ale ukazují se tu nové technologie i od jiných výrobců (zpravidla ty, které pak Nvidia použije u svých produktů). Mezi ně patří také velmi rychlé paměti HBM. Zatímco nejnovější generace HBM4 se teprve dostává na první produkty (velkosériová výroba pro novou Nvidii Vera Rubin), kdy slibuje přenosové rychlosti 11,7 Gbps na pin s tím, že by se to později mělo dostat na 13 Gbps na pin, ukázána tu byla i nejnovější chystaná generace HBM4E. Tato novinka by měla přenosové rychlosti ještě dále zvýšit.
Mluví se o tom, že budou vyráběny 10nm-class (1c) procesem a dosahovat mají přenosové rychlosti 16 Gbps na pin (tedy 2 GB/s). Vzhledem k 2048bitové sběrnici paměti tu tak mluvíme o paměťové propustnosti 4 TB/s na jeden čip. Takový čip může mít díky nové technologii spojování HCB (Hybrid Copper Bonding) 16 i více vrstev, což nás může dostat na 48GB čipy. Tato technologie dále snižuje tepelné odpory o 20 % oproti TCB (Thermal Compression Bonding).
Samsung zde rovněž ukázal paměti SOCAMM2, SSD PM1763, nechyběly ale ani zmínky o pamětech LPDDR5X a LPDDR6.
