Společnost Samsung Electronics oznámila nové paměťové čipy DDR5, které vyrábí pomocí 12nm technologie. Je nezvyklé, že výrobce přesně zveřejnil výrobní proces, když se obvykle používá jen obecné označení. Slibují 7,2 Gbps na pin.
Od společnosti Samsung Electronics jsme se dočkali nových paměťových čipů DDR5 DRAM, u kterých i přesně víme, že jsou vyráběny pomocí 12nm technologie (obvykle víme jen první číslici). Tyto čipy mají kapacitu 16 Gb, tedy 2 GB, a zaručují kompatibilitu s platformou AMD a novými procesory Ryzen. Využití tu našel nový high-k materiál, který vylepšuje kriticky důležité vlastnosti čipů.
12nm výroby využívá procesu EUV a díky vysoké hustotě se zvýšila výtěžnost na wafer o 20 %. Čipy jsou také velmi rychlé a slibují 7,2 Gbps na pin. Na 64bitovém rozhraní to znamená přenesení dvou 30GB 4K filmů za sekundu (přesněji řečeno, 57,6 GB/s). Výhodou nového procesu je také vyšší efektivita a proti předchozí generaci mají čipy o 23 % nižší spotřebu. Jejich velkosériová výroba začne v roce 2023.
