Společnost Samsung Electronics oznámila, že začala vyrábět světově první paměti low power double-data-rate 2 (LPDDR2) s kapacitou 4 Gb, a to pomocí 2Xnm technologie. Ještě před rokem přitom zavedla produkci podobných pamětí s využitím 3Xnm technologie, takže provedla celkem výrazný krok kupředu. Cílem pro tyto produkty samozřejmě nejsou PC, neboť v této oblasti se uplatňují normální DDR3. Setkat bychom se ale s nimi měli v nových tabletech a chytrých telefonech s výkonnými 4jádrovými procesory, jejichž baterie ocení nižší energetickou náročnost těchto pamětí, stejně jako slibovaný vyšší výkon. Samsung je také připraven dodávat 2GB čipy tlusté pouze 0,8 mm, které na sebe v jednom pouzdře vrství čtyři paměti 4 Gb LPDDR2. V porovnání s 3Xnm řešením jsou nové čipy tenčí o cca 20 procent. Nabízí přitom propustnost 1066 Mbps. Dle iSuppli bude podíl 4Gb LPDDR2 na trhu postupně narůstat a na konci tohoto roku má dosáhnout 13 procent ve své kategorii, v dalším roce to bude t
Společnost Samsung Electronics oznámila, že začala vyrábět světově první paměti low power double-data-rate 2 (LPDDR2) s kapacitou 4 Gb, a to pomocí 2Xnm technologie. Ještě před rokem přitom zavedla produkci podobných pamětí s využitím 3Xnm technologie, takže provedla celkem výrazný krok kupředu.
Cílem pro tyto produkty samozřejmě nejsou PC, neboť v této oblasti se uplatňují normální DDR3. Setkat bychom se ale s nimi měli v nových tabletech a chytrých telefonech s výkonnými 4jádrovými procesory, jejichž baterie ocení nižší energetickou náročnost těchto pamětí, stejně jako slibovaný vyšší výkon.
Samsung je také připraven dodávat 2GB čipy tlusté pouze 0,8 mm, které na sebe v jednom pouzdře vrství čtyři paměti 4 Gb LPDDR2. V porovnání s 3Xnm řešením jsou nové čipy tenčí o cca 20 procent. Nabízí přitom propustnost 1066 Mbps.
Dle iSuppli bude podíl 4Gb LPDDR2 na trhu postupně narůstat a na konci tohoto roku má dosáhnout 13 procent ve své kategorii, v dalším roce to bude téměř polovina podílu a v roce 2014 pak 63 %. Máme tu tedy budoucí mainstream.
Zdroj:
