První čipová sada od společnosti SiS určená pro podporu paměťové technologie RDRAM se nijak výrazně neprosadila. Nyní SiS uvádí její vylepšenou verzi, která přináší čtyřkanálový paměťový řadič.
O čipové sadě SiS R658 jsme již psali v dubnu a tak jistě víte, že podporuje maximálně RDRAM PC1066 ve dvoukanálovém uspořádání (4,3 GB/s). Její nástupce přináší zásadní změny, které se týkají zejména paměťového řadiče. Ten totiž podporuje paměťovou technologii RDRAM PC1200 (2,4 GB/s) a umožňuje pamětem pracovat ve čtyřkanálovém uspořádání, čímž dosahuje teoretické propustnosti 9,6 GB/s.
Pro srovnání čipová sada Intel 875P při dvoukanálovém režimu DDR400 dosahuje teoretické propustnosti 6,4 GB/s. Paměťový řadič čipové sady SiS R659 je tedy o poloviny rychlejší ve srovnání s nejvýkonnější technologií DDR SDRAM.
Co se týká podpory procesorů, pak je tato čipová sada samozřejmě určena pro procesory Intel Pentium 4 se systémovou sběrnicí 100/133/200 MHz (400/533/800 MHz QDR) a technologií Hyper-Threading. Grafická sběrnice podporuje režim AGP 8x a northbridge čip komunikuje se svým jižním protějškem přes sběrnici MuTIOL s propustností 1 GB/s (viz schéma pod tímto odstavcem).
Jako southbrige čip je zde použit SiS964, o kterém jsme (společně s jeho předchůdci) psali v
. Já zde pouze zmíním, že nově přináší rozhraní SATA, 8 portů USB 2.0 a podporu RAID režimů.
V dnešní době již můžeme takřka směle říci, že paměťová technologie RDRAM je mrtvá. Čipové sady Intel 850E či SiS R658 jsou již za svým horizontem a dřívější hlavní propagátor této technologie (Intel) již na RDRAM také rezignoval a směřuje vývoj do podpory DDR SDRAM. Ovšem uvedení čipové sady SiS R659 by mohlo znamenat doslova a do písmene revoluci a znovuoživení této technologie. Otázkou je ovšem jaké budou reálné výsledky. Teoretická propustnost je sice hezká (50% nad nejrychlejší konkurenční technologii), ale neříká nic o skutečné výkonnosti. Na tu si ještě musíme nějakou dobu počkat, protože SiS R659 sice byla uvedena, ale nějakou dobu bude trvat než se dostane na trh.
Zdroj: SiS
