Bĕhem letošní výstavy SemiTech v Taipeji společnost Nanya oznámila, že začne dodávat vzorky DDR3 pamĕtí svým partnerům ve druhé polovinĕ roku 2006. Nanya hodlá vyrábĕt pamĕti v rozsahu přenosové rychlosti 800 Mbps (DDR3 800) až 1600 Mbps (DDR3 1600) a s časováním v rozmezí CL5 až CL10. Pamĕťové moduly se nejprve budou vyrábĕt 90nm technologií, v roce 2008 se výrobní process přesune na 70nm technologii. Čipy budou mít zabudovanou technologii pro úsporu energie známou pod zkratkou PASR (Partial Array Self Refresh) a ASR (Auto Self Refresh). Zdroj: www.digitimes.com
Bĕhem letošní výstavy SemiTech v Taipeji společnost Nanya oznámila, že začne dodávat vzorky DDR3 pamĕtí svým partnerům ve druhé polovinĕ roku 2006. Nanya hodlá vyrábĕt pamĕti v rozsahu přenosové rychlosti 800 Mbps (DDR3 800) až 1600 Mbps (DDR3 1600) a s časováním v rozmezí CL5 až CL10.
Pamĕťové moduly se nejprve budou vyrábĕt 90nm technologií, v roce 2008 se výrobní process přesune na 70nm technologii. Čipy budou mít zabudovanou technologii pro úsporu energie známou pod zkratkou PASR (Partial Array Self Refresh) a ASR (Auto Self Refresh).
Zdroj:
