Společnost Toshiba oznámila, že v těchto dnech odstartovala produkci pamětí typu NAND Flash pomocí 24nm procesu. Jedná se o paměti s buňkami typu MLC (Multi-Level Cell) schopných udržet 2 bity (2bit-per-cell) s kapacitou 64 Gb na čip. Následovat je budou 32 Gb paměti typu 3bit-per-cell, jimiž se pochlubil třeba i Intel společně s jeho partnerem Micron. Všechny chystané 24nm paměti NAND Flash od Toshiby také využijí technologii Toggle DDR, jež má docílit zvýšení přenosových rychlostí. My se jako zákazníci tedy můžeme těšit na levnější paměťové karty, SSD a podobné produkty s vyšší kapacitou. Jiné firmy totiž pochopitelně nezahálejí, a tak se celý obchod s NAND Flash opět může posunout o krok dopředu. Zdroj: TCM
Společnost Toshiba oznámila, že v těchto dnech odstartovala produkci pamětí typu NAND Flash pomocí 24nm procesu. Jedná se o paměti s buňkami typu MLC (Multi-Level Cell) schopných udržet 2 bity (2bit-per-cell) s kapacitou 64 Gb na čip. Následovat je budou 32 Gb paměti typu 3bit-per-cell, jimiž se pochlubil třeba i Intel společně s jeho partnerem Micron.
Všechny chystané 24nm paměti NAND Flash od Toshiby také využijí technologii Toggle DDR, jež má docílit zvýšení přenosových rychlostí. My se jako zákazníci tedy můžeme těšit na levnější paměťové karty, SSD a podobné produkty s vyšší kapacitou. Jiné firmy totiž pochopitelně nezahálejí, a tak se celý obchod s NAND Flash opět může posunout o krok dopředu.
Zdroj:
