Moc marketingu jsem kolem IBM Cell neviděl. Je to "procesor" založený na masivním paralelizmu provádění operací. Průchodnost pro jednotlivé aplikaceje pak osmi až desetinásobkem toho na co jsme dnes zvyklí. Původní patent pochází z Japonska od SONY.
Pro přetaktování na platformě AMD dlouho nebylo a asi stále není na trhu nic lepšího než DFI. Mám doma DFI LanParty UT nF4 Ultra-D (4300Kč) tak nemluvím jen tak do větru. Původně jsem preferoval ASUS, ale pro soket 939 dlouho neměli nic pořádného na trhu (úzká spolupráce s INTELem). Chápu, že pokud ti přetaktování nic neříká a orientuješ se na low-end tak ti cena může připadat vysoká.
Používám kombinaci pasivního chladiče chipsetu s větráčkem. Původní řešení výrobce se mi vzhledem poměrně vysokým otáčkám (a hluku) větráčku chladiče i teplotám nelíbilo. V klidu je telota chipsetu kolem 34 stupňů, CPU 31 stupňů a PWM IC 33 stupňů.
@karf
Používám opravdu tichý větrák se sedmisty otáčkami za hodinu a externím napájením. Původní s tzv. regulací se mí zdál příliš hlučný - prakticky stále běžel na vysokých otáčkách i když byl zcela chladný. Vím, že by to chtělo opravdu kvalitní zdroj...
Největší zájem se dá očekávat u nadšenců a příznivce extrémních výkonů. Do této komunity jsou podobné výrobky směřovány. Je to hezký koníček - proč ne.
Zdá se, že Twinx 4400C25 (obecně TCCD) si dobře rozumí s paměťovým řadičem v Pteronu 144. V tuto chvíli paměti jedou stabilně na 310MHz při 2,5-4-4-8-7-256, napětí DRAM 2,76V. BIOS 704-2BT. Opteron 310x9=2792MHz při 1,52V.
Osobně dávám přednost nastavení Blend. S tímto nastavením jsem zcela spokojen. Pokud si myslíte, že tak není ověřena stabilita celé sestavy tak Vám nemohu pomoci. To co tvrdíte o chybných výsledcích do projektu Prime už vůbec namá hlavu a patu. Projektu jsem se nikdy neúčastnil. Možná jediné doporučení: Přečtěte si manuál k Prime95 ještě jednou...
Používám pasivní chladič na chipsetu a rameno s větrákem Zalman jak je uvedeno v článku. Mohu jenom doporučit. Je to potichu a také to chladí - jak je vidět.
Chci se ještě vrátit k diskuzi o použití pamětí s vyšším napětím s platformou A64. Stále si myslím, že problém ve skutečnosti neexistuje:
Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
@Zdeněk Kabát
Asi myslíte G.SKILL 1Gb FF 2.5-4-4-8 (PC4800) DFI Special Dual Channel kit - stále se vyrábějí, ale cena opravdu vysoká. Mimochodem příště si představíme 1Gb G.Skill FC Series PC4400 (2.5-4-4-8) Dual Channel kit. Už jsou na cestě. Jsou skoro stejně dobré jako řada FF a dají se sehnat za velice rozumnou cenu.
Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
@Mirek Pokorný
Nejsem si jistý zda si rozumíme. Chápu to tak, že AMD specifikuje max napětí na pinech rozhraní s RAM. Tato napětí podle mne jsou nižší než napájecí napětí paměti. Tedy při DRAM napětí např. 3,3V podle mě není na pinech rozhraní s procesorem 3,3V, ale napětí nižší.
@Mirek Pokorný
Nejsem si jistý zda si rozumíme. Chápu to tak, že AMD specifikuje max napětí na pinech rozhraní s RAM. Tato napětí podle mne jsou nižší než napájecí napětí paměti. Tedy při DRAM napětí např. 3,3V podle mě není na pinech rozhraní s procesorem 3,3V, ale napětí nižší.
@tief
Doporučení výrobce samozřejmě nelze brát na lehkou váhu. Na druhou stranu jsem na OC forech, pokud si to uvědomuji, ještě nesetkal s nikym kdo takto A64 zničil. Máte takové informace?
