Moc marketingu jsem kolem IBM Cell neviděl. Je to "procesor" založený na masivním paralelizmu provádění operací. Průchodnost pro jednotlivé aplikaceje pak osmi až desetinásobkem toho na co jsme dnes zvyklí. Původní patent pochází z Japonska od SONY.
Pro přetaktování na platformě AMD dlouho nebylo a asi stále není na trhu nic lepšího než DFI. Mám doma DFI LanParty UT nF4 Ultra-D (4300Kč) tak nemluvím jen tak do větru. Původně jsem preferoval ASUS, ale pro soket 939 dlouho neměli nic pořádného na trhu (úzká spolupráce s INTELem). Chápu, že pokud ti přetaktování nic neříká a orientuješ se na low-end tak ti cena může připadat vysoká.
Používám kombinaci pasivního chladiče chipsetu s větráčkem. Původní řešení výrobce se mi vzhledem poměrně vysokým otáčkám (a hluku) větráčku chladiče i teplotám nelíbilo. V klidu je telota chipsetu kolem 34 stupňů, CPU 31 stupňů a PWM IC 33 stupňů.
Největší zájem se dá očekávat u nadšenců a příznivce extrémních výkonů. Do této komunity jsou podobné výrobky směřovány. Je to hezký koníček - proč ne.
Zdá se, že Twinx 4400C25 (obecně TCCD) si dobře rozumí s paměťovým řadičem v Pteronu 144. V tuto chvíli paměti jedou stabilně na 310MHz při 2,5-4-4-8-7-256, napětí DRAM 2,76V. BIOS 704-2BT. Opteron 310x9=2792MHz při 1,52V.
Osobně dávám přednost nastavení Blend. S tímto nastavením jsem zcela spokojen. Pokud si myslíte, že tak není ověřena stabilita celé sestavy tak Vám nemohu pomoci. To co tvrdíte o chybných výsledcích do projektu Prime už vůbec namá hlavu a patu. Projektu jsem se nikdy neúčastnil. Možná jediné doporučení: Přečtěte si manuál k Prime95 ještě jednou...
Používám pasivní chladič na chipsetu a rameno s větrákem Zalman jak je uvedeno v článku. Mohu jenom doporučit. Je to potichu a také to chladí - jak je vidět.
Chci se ještě vrátit k diskuzi o použití pamětí s vyšším napětím s platformou A64. Stále si myslím, že problém ve skutečnosti neexistuje:
Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:
Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.
Vyměnil jsem původní větrák za CoolerMaster SAF-S12-E1. Napájím ho externě - otvor ve stěně a silikonový tmel. Na obrázku je ještě původní - před modifikací. Teď jsem zcela spokojen i bez záruky. Je ticho a zdroj je stále studený. Regulace otáček u původního typu je spíš symbolická. Možno prohlédnout je např. zde: http://www.alzasoft.cz/DetailPage.asp?DPG=52640
Jak jsem již uvedl: Velkou výhodou při přetaktování oproti vynikajícím Windbond UTT BH5 je u modulů osazených čipy Micron G možnost použití běžného napětí DRAM do 2,8V dostupného na základních deskách. Potřeba aktivního chlazení pamětí také nemusí být to pravé ořechové...
