Diskuze: MUSHKIN Redline PC3500 DDR433, 1GB (DUAL 2x512MB)

mxv

Level

20. 9. 2005 19:30

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Zkusili, bohuzel jen vypada...

Mirek Pokorný

Level

20. 9. 2005 12:13

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Stáhnul jsem si technickou dokumentaci k čipům W942516CH na http://www.winbond.com/e-winbondhtm/partner/b_2_g_1_a.htm#06. Nejsem v této oblasti odborníkem takže si netroufám vynášet absolutní soudy. Předpokládám, že u i u jiných typů pamětí bude situace podobná. Technická specifikace vstupních a výstupních napětí pamětí Winbond je u tohoto typu ve zkratce je následující:

Podle blokového diagramu 6 jdou vstupní a výstupní data paměti přes DQ buffer. Tento modul má separátní napájení VDDQ. Čip má pin Input reference voltage VREF to se rovná 0,49 x VDDQ. Input high voltage je pak VREF + 0,15 až 0,3. Output high voltage VTT + 0,76, kde VTT je Termination voltage které se rovná VREF – 0,04. Pokud VDDQ bude např. 3,3V pak VREF= 3,3 x 0,49=1,62V. Input high voltage je pak asi 1,62+0,25=1,87V. Output high voltage 1,62+0,76=2,38V. Doufám, že jsem to pochopil správně.

tief

Level

19. 9. 2005 16:36

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Rozhodně. Tak to určitě je. Jenže... když bychom napájely samotné čipy napětím třeba 3.3V, jak z toho dostaneme signál o napětí třeba 2.6V ? To by na modulu musel být regulátor, navíc takový, který by zvládl převádět signály obrovskou rychlostí. Domnívám se, že takový regulátor by se projevil na latencích a tím pádem i na stabilitě. Takže podle mě napětí posílané do modulů se posílá i do CPU.

Mirek Pokorný

Level

19. 9. 2005 11:15

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Pokud jde o pravopis tak je to v pořádku: http://www.pravidla.cz/hledej.php?SID=d9e71f09f1161f9304130340f74d88ba&qr=vlys

jiriace

Level

18. 9. 2005 19:32

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

1GB (DUAL 2x512) DDR500 MUSHKIN Redline PC4000 CAS 2-2-2
Ačkoliv je paměť napájena napětím vyšší úrovně (až 3.5 V), než jak je tomu v případě jiných typů a značek, jde toto napětí do paměťového modulu, nikoliv však po datových linkách do CPU, jak se mnozí chybně domnívají. K poškození CPU (ani ke snížení jeho životnosti) tedy nemůže dojít. Datové informace jdoucí do paměťového řadice CPU už jsou na jiném napětí, než kterým je paměť napájena ze základní desky.

Samja

Level

18. 9. 2005 10:55

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Koupím!Odepiš na samja@quick.cz a domluvíme se.

zdeneksoft

Level

17. 9. 2005 10:36

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Chtěl bych se zeptat, jak je to se 4-mi moduly u jádra Venice E6? Někde v ceníku jsem viděl 1x Kingmax HardCore DIMM 512MB DDR 500MHz s časováním 3-3-3-7-1 za 1959,-, což mi připadá jako perfektní cena. Z těchto modulů by se dalo levně složit 2GB paměti. Navíc jsem slyšel, že při zvýšeném napětí na 2,8V, dají časování 2,5-3-3-7-1 při 500MHz, což je za ty peníze paráda. Má někdo s těmito moduly zkušenost? Případně, jak moc dochází ke zpomalení pamětí, když se musí snížít command rate na 2T?

Samja

Level

16. 9. 2005 14:29

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Už delší dobu sháním,kde se dá u nás koupit ?

Mirek Pokorný

Level

16. 9. 2005 09:52

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Přiznám se, že vaší poznámce čí dotazu zcela nerozumím...

tief

Level

16. 9. 2005 01:28

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Na Winbondech UTT je bohužel smutné, že je nelze použít s Athlonem 64. Dokumentace AMD hovoří jasně:

Kapitola 7.1 - Absolute Maximum Ratings:
"Stresses greater than those listed in Table 12 may cause permanent damage to the device and motherboard. Systems using this device must be designed to ensure that these parameters are not violated. Violation of these ratings will void the product warranty. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability."

MEMVREF input voltage relative to VSS: –1 V to 2.9 V
Input voltage relative to VSS for DDR SDRAM memory interface and Miscellaneous pins: –1 V to 2.9V