Zpět na článek

Diskuze: Directed Self-Assembly: náhrada za EUV pro < 10nm procesy?

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

Google Facebook Seznam Discord

BlackRider

Level

29. 3. 2017 13:38

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

"své vrstvy uspořádal vertikálně a ne horizontálně, čili ne na sebe, ale vedle sebe"

Asi mame kazdej jinou predstavu o tom co je vertikalne a co horizontalne...

Jan Vítek

Level

29. 3. 2017 13:48

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@BlackRider Představte si třeba oplatku položenou na hranu. V ní jsou taky vrstvy orientovány vertikálně, co se týče jejich roviny.

Pate1973

Level

29. 3. 2017 12:59

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Ale určitě tomu něco braní tipoval bych to na něco co vychází z podstaty věci

wrah666

Level

29. 3. 2017 11:43

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Nestálo by za pokus přejít o stupínek dále a nasadit až záření x, čili rentgen? Teoreticky se s ním dá jít mnohem dále než s UV, fotocitlivé materiály na něj reagují (vždyť tak bylo vůbec objeveno) a navíc se rentgenové výbojky běžně vyrábí, používají, víme jak se chovají atd.