IBM pokročilo ve výrobě pamětí Phase-Change Memory

Společnost IBM oznámila, že se jí podařil důležitý průlom v oblasti pamětí PCM - (Phase-Change Memory), který by měl napomoci k dosažení jejich plného potenciálu. Její pracovníci totiž vyvinuli PCM čipy označené jako multi-bit či multi-level.

testovací čip IBM byl vyroben 90nm technologií CMOS

Analogii můžeme k tomu najít ve světě NAND Flash, kde existují dva základní typy - SLC s buňkami schopnými udržet jeden bit a MLC, kde jsou buňky schopné udržet dva i více bitů. Multi-level PCM tedy dokáží v jedné paměťové buňce více jak jeden bit informace, což znamená možnost dosažení vyšších kapacit při nižších cenách.

Výhodou pamětí PCM je také počet možných mazacích a zapisovacích cyklů, který přesahuje číslo 10 milionů. Dnešní 25nm MLC NAND Flash se tomu nemohou v žádném případě rovnat, protože u nich mají buňky vydržet jen asi 3000 takových cyklů, což musí být kompenzováno pomocí různých technik (wear leveling) a využitím záložních buněk. Další výhodou má být také velmi rychlý přístup k uloženým datům, jenž má být v nejhorším případě kolem 10 mikrosekund.

To vše zní velmi dobře, ale na praktické využití si budeme muset nějaký ten rok počkat. Dle odhadů asi pět let.

Zdroj:

TCM