Zpět na článek

Diskuze: Jak vzniká procesor aneb procesorová kuchařka

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

petermg

Level

16. 9. 2006 20:50

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

No konečně... Konečně pořádný článek o výrobě hardware. Díky autorovy a jen tak dál.

Lukáš Petříček

Level

9. 9. 2006 13:25

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Děkuji za pochvalu i kritiku. Se SPICE máte pravdu. Problém je, jak už tu také padlo, že zmíněné firmy jsou v této oblasti na konkrétní informace poměrně skoupé. SPICE je nepochybně jen částí z onoho procesu návrhu. Za těch pár chybek se omlouvám. A k té spotřebě. Intel používal například mix vlnových délek pro kritické tranzistory. AMD zase chytře kombinuje SOI a SS pro konkrétní nasazení. První imo skutečně "mobilní" jádro, bude až Bulldozer (což je možná označení celé platformy), kde jde o spotřebu už od návrhu. Často jsou to jen spekulace nebo marketing. Bližší informace, bohužel, nemám... ;-)

Lukáš Petříček

Level

6. 9. 2006 02:30

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Ano, jsou jednodušší. Intel na IDF naznačoval koncept, že bude více jader. A podle složitosti a vzhledem k použití, se jich potom na jeden čip nasype dostatečný počet - aby pokles výkonu na jádro byl vynahrazen vysokým výkonem, kde bude těch i přes 100 jader rozumně použitelných. Počty jader pro jednotlivé čipy uváděl 12, 48 a 144 jader, podle složitosti. Příkon by měl být ve všech případech někde okolo 100W...

Lukáš Petříček

Level

6. 9. 2006 01:52

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Nezaměňuje. U waferu je napsáno, že je to superčistý mono Si. Skutečný polovodič z hlediska IO podle mě je až po vhodném dopování (ačkoliv z hlediska odporu je "mezi" i bez toho). Samozřejmě s tím, že musí být v monokrystalickém stavu a dopovat budete jen část, kterou chcete. Aby to mělo smysl. Vrstvička SiO2 je z hlediska odporu na úrovni izolantu a používá se například jako ochranná maska při iontové implantaci. Dopuje se jen monokrystalický Si. Nezmátl Vás ten mnou asi ne příliš vhodně zmíněný epitaxní růst (SiO2)?

Architect

Level

5. 9. 2006 17:19

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Dobrý článek. Gesher již nebude vyráběn 193nm DUV litografií, ale novou EUV 13.4nm. Možná by bylo vhodné se více rozepsat u "Záření", ale přesně o vzniku procesoru mi chyběl na SHW článek.

//Ještě doplňek později.

Invin

Level

6. 9. 2006 18:37

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@Architect Pravda...zareni je celkem dost( iontove, rentegenove, UV, laserove, atd), ale kazde ma sve chybky. Tusim, ze nejpresnejsi je rentgenove (jednotky/desitky nm roztec), ale zas castecna radioaktivita, pomaly proces, nakladne masky. No jsem zvedav, jak to dal pujde s vyvojem.

Architect

Level

5. 9. 2006 16:52

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Lze i s roztečí 40 nm.
http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6367921?pubdate=9%2F1%2F2006

sarik_8354

Level

5. 9. 2006 13:22

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

...polysilikonu...tohle je podle mě otrocký překlad orginálu silicon=křemík a nikoliv silikon= silikon po našem. Nejpíš měli na mysli polykrystalický křemík?

Lukáš Petříček

Level

6. 9. 2006 02:21

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@sarik_8354 Obvykle se nepřekládá. Není vždy bez elektricky aktivních příměsí. Ale jinak máte pravdu, polysilicon = polisilikon = poly Si = polokrystalický křemík. Uf, teď jsem tím zmátl i sebe... ;)

a8nr

Level

5. 9. 2006 08:42

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

U "Prototyp Athlonu 64 vyrobeného 65 nm výrobní technologií, 90 nm Athlon 64 X2" chybí jeden z obrázků. A ty obrázky SW pro návrh a optimalizaci fotolitografických masek ve větším rozlišení nemáte?