Paměťové čipy se nevyrábí totožnými technologiemi jako nejmodernější procesory, a tak jsme stále na 10nm+ procesech. Samsung nicméně s DRAM čipy překonává 10nm hranici.
Zatímco výpočetní čipy vyrábíme už 2nm procesy, v případě pamětí DRAM jsme nadále na 10nm-class procesech. Podle serveru The Elec už ale Samsung tuto hranici překonal ve svých laboratořích a dostal se na jednociferná čísla. Dosavadní 10nm procesy byly označovány jako 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c a 1d, v případě prvního procesu pod 10nm hranicí to bude označeno jako 10a a od procesu 10d by mělo jít o 3D DRAM čipy. Podle zákulisních informací by u 10a Samsungu mělo jít o cca 9,5-9,7nm proces.
Dále se mluví o tom, že se u nových čipů přešlo ze struktury 6F (3F×2F) na čtvercovou 4F (2F×2F), což by mělo zvýšit hustotu tranzistorů na stejné ploše o 30 až 50 %. Toto je umožněno i technologií VCT (Vertical Channel Transistor), která umožňuje umístit kondenzátor nad tranzistor. Naopak periferní obvody se přestěhují pod paměťové buňky díky technologii PUC (Periphery Under Cell). Aby to vše fungovalo, bude se tu muset používat hybridní spojování těchto různých vrstev. Dále se z klasického křemíkového základu dostáváme na IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide).
Je nutno počítat s tím, že toto jsou prozatím laboratorní výsledky, přičemž testování bude ve velkém probíhat v roce 2027 a až v roce 2028 by měla být zahájena velkosériová výroba.
