Galerie 56
Samsung SSD 840 EVO: levný i výkonný
Recenze Storage a RAM SSD Samsung

Samsung SSD 840 EVO: levný i výkonný

Jan Vítek

Jan Vítek

25

Seznam kapitol

1. Samsung SSD 840 EVO: levný i výkonný 2. Představení Samsung SSD 840 EVO a otázka životnosti 3. Testy h2benchw 4. Testy PCMark Vantage 5. Testy ATTO a Crystal Disk Benchmark 6. Závěrečné hodnocení

Uprostřed prázdnin přišel Samsung se zbrusu novou sérií SSD 840 EVO, které nabídnou firemní tříjádrový kontroler MEX a kapacitu pamětí MLC NAND Flash až 1 TB. My si dnes vyzkoušíme jednoho takového zástupce a otestujeme jeho výkon.

Reklama

Samsung SSD 840 EVO tedy přišly na trh o letošních prázdninách společně s modely XS1715 vybavenými rozhraním NVMe, které využívá také rozhraní PCI Express. Dnešní recenze se ale týká výhradně SSD 840 EVO, což je klasické 2,5" model s rozhraním SATA 6 Gbps. Je ale možné, že nebude trvat dlouho a rozhraní SATA bude u SSD minulostí, tedy alespoň u těch modelů, které chtějí nabídnout vysoký výkon. Již delší dobu jsou k dispozici SSD v podobě karet pro sloty PCI Express, což ovšem není ideálním řešením, a tak nastupují nová rozhraní právě jako NVMe, jež umožní využít výhod SSD - výkonu a malých rozměrů.

Samsung SSD 840 EVO: levný i výkonný

Dnes jsou ale stále ještě ve spotřebitelském sektoru nejpopulárnější 2,5" SSD s rozhraním Serial ATA, pokud tedy mluvíme o běžných desktopových počítačích či o noteboocích a uživatelech, kteří si do nich pořizují vlastnoručně vybraný hardware. A proto bude zajímavé zjistit, co nám nový SSD 840 EVO od Samsungu nabídne. Jde totiž o model vybavený firemním kontrolerem MEX, který bude mít u nás premiéru. Ten slibuje slušný výkon, jenž je u hranice praktického maxima rozhraní SATA 6 Gbps, alespoň co se týče sekvenčních operací. Zde jsou pak základní vlastnosti a specifikace:

Samsung SSD 840 EVO: levný i výkonný

Samsung SSD 840 EVO - 1 TB (MZ-7TE1T0)

Velikost, rozhraní

2,5", výška 7 mm, SATA 6 Gbps

Kontroler a cache

Samsung MEX (tříjádrový ARM Cortex-R4, 400 MHz)
Samsung 1 GB DDR2 SDRAM

NAND Flash

19nm Samsung Toggle TLC (Triple-Level Cell) 400 Mb/s

Sekvenční čtení / zápis

až 540 / 520 MB/s

I/O operace - max. náhodné čtení / zápis (4 kB) QD32

až 98 000 / 90 000 IOPS

I/O operace - max. náhodné čtení / zápis (4 kB) QD1

až 33 000 / 10 000 IOPS

MTBF

1,5 milionu hodin

Spotřeba

0,1 W (typický)
0,045 W (s využitím DIPM*)

*/ Device Initiated Link Power Management - úsporný režim


K dispozici jsme tedy měli 1TB model, čili ten nejvýše postavený ve své řadě. Ten by měl ale dle specifikací poskytnout stejný výkon jako 750GB a 500GB model, přičemž pak už výkon klesá především ohledně IOPS s Queue Depth 32 (QD 32), kdy 250GB SSD má snížený zápis na 66000 IOPS a 120GB dokonce na 35000 IOPS. V případě čtení je v obou případech pokles jen malý (maximálně na 94000 IOPS) a co se týče IOPS s QD1, pak zde je výkon ve všech případech stejný. V "disciplíně" sekvenčních operací pak máme zase ve všech případech stejně rychlé čtení, pouze u 120GB SSD klesá zápis na 410 MB/s.

Pokud tedy máte zájem o Samsung SSD 840 EVO, které poskytne ten nejlepší výkon, musíte se poohlédnout minimálně po 500GB modelu s cenou kolem 7500 Kč s daní. Ovšem ani 250GB nebude nejhorší, a ten již přijde na cca 3500 Kč.

Máme tu tedy jedno nové SSD, k dispozici jsou výsledky dříve testovaných modelů a také stále stejná testovací sestava, která nám zajistí možnost srovnání. Ta je konkrétně následující:

  • Intel Clear Folk DH67CF - Intel H67
  • Intel Core i5-2400S
  • Samsung SpinPoint F3 - 1TB
  • 2x 4 GB Kingston KHX1600C9D3K2/8G
  • Seasonic S12II-330 330W (80 Plus Bronze)

Předchozí
Další
Reklama
Reklama

Komentáře naleznete na konci poslední kapitoly.

Reklama
Reklama