Samsung už začal vývoj pamětí DDR6. Ty by měly využívat technologii výroby MSAP (Modified Semi-Additive Process) pro dosažení drobnějších obvodů. Už v základu se čekají přenosové rychlosti 12800 Mbps, u přetaktovaných ještě vyšší.
Sotva se začaly objevovat první paměti typu DDR5 na trhu, už se pochopitelně vyvíjí další generace, DDR6. Zástupce společnosti Samsung se totiž na semináři v Koreji nechal slyšet, že Samsung už začal vývoj nové generace operačních pamětí DDR6. Ty by měly využít technologii výroby mSAP (modified Semi-Additive Process), která ale není ničím až tak novým. SK Hynix i Micron ji už používají i u DDR5.
stávající paměti DDR5
Tato technologie dovoluje vyrábět moduly s drobnějšími obvody, což je důležité i proto, že se stále zvyšuje počet vrstev v PCB. Předpokládá se, že návrh pamětí DDR6 bude hotov v roce 2024, ale na trh se nedostanou dříve než v roce 2025 (a i to mi přijde být poněkud optimistické). Standard JEDEC by pro tyto paměti měl začínat na 12000 Mbps, nicméně se předpokládá, že přetaktované moduly budou dosahovat i 17000 Mbps.
