Technologie pamětí

Společnost Micron nedávno oznámila, že už začala dodávat první vzorky pamětí HBM4, a to o nadprůměrně vysokých rychlostech 11 Gbps. Překonává tím SK hynix.

Nové notebooky budou mít možná opětovně výměnné paměti. Nový standard LPCAMM2 se nově objevil v notebooku Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 a už prošel i rozborkou, která ukázala, jak to vevnitř vlastně vypadá.

Paměti není skoro nikdy dost, a tak společnost Micron představila nové paměťové moduly DDR5 s rychlostí až 8000 MT/s s obří kapacitou 128 GB. Využívají 32Gb paměťových čipů DRAM vyráběných pomocí 1β technologie.

Samsung představuje další evoluci svých pamětí LPDDR5X pro mobilní zařízení. Nejnovější verze dosahuje ještě vyšších rychlostí než v minulosti, Samsung se totiž dostal až na 10,7 Gbps, z čehož bude profitovat grafika i AI.

Paměti GDDR7 pomalu klepou na dveře a výrobci už ukazují své první prototypy. Společnost SK hynix nedávno ukázala ty nejrychlejší, neboť z připravované nové generace už dokázala vymáčknout 40 Gbps.

Samsung představil nový typ paměťových modulů LPCAMM. Ty by měly být novým typem modulů pro nejrůznější mobilní zařízení a nejen notebooky. Mohly by znamenat konec pro klasický formát SO-DIMM.

Samsung chce posunout technologii pamětí DDR5 opět o něco dál a oznámil vývoj 32Gb čipů DDR5. Ty by mu měly umožnit přijít s obřími 1TB moduly DDR5 pamětí pro serverové nasazení. To má umožnit také umístění 8 vrstev na sebe.

Samsung už začal vývoj pamětí DDR6. Ty by měly využívat technologii výroby MSAP (Modified Semi-Additive Process) pro dosažení drobnějších obvodů. Už v základu se čekají přenosové rychlosti 12800 Mbps, u přetaktovaných ještě vyšší.

SK Hynix připravuje extrémně rychlé paměti HBM3 (High Bandwidth Memory). Ty slibují o téměř polovinu vyšší rychlost než předchozí modely HBM2E a konkrétně by mělo jít o opravdu hodně vysokých 5,2 Gbps na pin.

Samsungu se povedlo posunout technologii 3D-TSV (Through Silicon Via) opět o něco dále a nyní dokáže propojit 12 vrstev čipů najednou. Rozměry přitom zůstávají shodné s původními 8vrstvými pamětmi.

Paměti typu HBM se drtivé většině běžných uživatelů ještě vyhnuly, a to už je tu jejich druhá generace a chystá se třetí. Co ta nabídne a jací jsou její případní nástupci nebo konkurenti, na to se nyní podíváme.

Doufali jsme, že ještě v tomto roce se dočkáme herních karet, které využijí nové paměti HBM2. Nyní už je téměř jisté, že si na ně počkáme až do dalšího roku, čemuž odpovídá také zpráva o společnosti SK Hynix. který je bude vyrábět.

Samsung Electronics začal jako první výrobce pamětí DRAM masově vyrábět pomocí technologie třídy 10 nm. Jedná se o 8Gb čipy DDR4 DRAM a pochopitelně i příslušné moduly, s nimiž budou dodávány na trh.

Můžeme doufat, že ještě nastupující generace grafických karet AMD Polaris a NVIDIA Pascal využijí paměti GDDR5X, které vyvíjí americký Micron Technology. Ten začal rozesílat první vzorky svým zákazníkům, takže to je přinejmenším na dobré cestě.

Na podzim se objevila skutečnost, že technologie pamětí GDDR5 ještě zdaleka není připravena ustoupit výkonnějším HBM a stále má s patřičnými úpravami co nabídnout. Otázka je, zda se tyto paměti dokáží uplatnit na trhu.

Dle jistých zdrojů citovaných serverem WCCF tech bude mít AMD prioritu při využití pamětí HBM2, které nastoupí na místo dnešních HBM a chystá se je využít také společnost NVIDIA. Bude ta tedy v nevýhodě?

Micron Technology je v současnosti třetím světově největším výrobcem počítačových pamětí typu DRAM a jeho plánem je nyní s využitím nového 16nm procesu zaútočit na vedoucího výrobce těchto pamětí, firmu Samsung.

Společnost AMD se rozhodla více nás informovat o pamětech typu HBM, které budou hrát hlavní roli v nové generaci Radeonů s čipy Fiji. Podívejme se tedy, co nového se dozvíme o tomto velmi rychlém typu pamětí.

Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), čili organizace stojící za vývojem nového standardu, který se využije pro technologii HMC, ohlásila druhou verzi příslušných specifikací. Dle nich se dočkáme paměťové propustnosti až 480 GB/s.

Společnosti Toshiba a Hynix oznámily, že jsou připraveny spolupracovat na budoucím vývoji a výrobě pamětí typu Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM). Jedná se o paměti, o jejichž výrobu se společnosti snaží již delší dobu. Paměti MRAM mají tu výhodu, že jsou stálé, takže nepotřebují být napájeny k tomu, aby si uchovali informaci. To činí pomocí přepólování tenké magnetické vrstvy, což je způsob, který je ve srovnání s klasickými DRAM energeticky efektivnější, takže se jejich využití předpokládá u budoucích mobilních zařízení. Výkonnostně by na tom také měly být dobře, a tak by se mohly dočkat i klasické PC, u nichž by to znamenalo také úspory energie a rychlou hibernaci a zotavení se z ní. Kiyoshi Kobayashi z firmy Toshiba uvedl, že vidí v MRAM velký potenciál jako náhradu za RAM a nejen za ty. Prý budou silně prosazovat integraci úložných zařízení založených na MRAM, NAND i HDD. Prozatím ale Toshiba s Hynixem neuvádí, kdy bychom se mohli dočka

Společnost HP oznámila, že ve spolupráci s Hynixem se chystá uvést na trh nový prvek paměťových obvodů, který vyvinula ve svých HP Labs a nazývá jej memristor. Ten se objeví v nových rezistivních pamětech s libovolným přístupem, čili Resistive Random Access Memory (ReRAM). fotografie memristoru Memristor neboli „paměťový odpor“ postuloval jako čtvrtý základní prvek obvodů profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roce 1971 a poprvé jej experimentálně prokázali vědci z HP Labs v roce 2006. Takové paměti slibují nižší spotřebu energie a především stálost, tedy schopnost uchovat informace i bez nepřetržitého napájení. V porovnání se současnými paměťmi mají být ReRAM také rychlejší a mají ještě jednu výhodu. Memristor může řešit i logické funkce, takže je možné aby paměti prováděly i výpočty. K takovým produktům ale musí obě firmy urazit ještě kus cesty, a tak se zatím nedá říci, že by hotové ReRAM klepaly na dveře. Zdroj: TZ HP

Společnost IBM oznámila, že se jí podařilo pomocí 32nm technologie a již sedmé generace procesu SOI (Silicon on Insulator) vyvinout světově nejmenší a nejrychlejší paměťový čip typu eDRAM (embedded DRAM). Nová eDRAM má poskytnout vyšší hustotu dat než dokonce oznámené 22nm embedded SRAM, o nichž IBM vypustilo zprávy do světa v srpnu minulého roku a dokonce čtyřikrát větší než dnešní 32nm eSRAM. Latence eDRAM přitom činí méně než 2 ns a výhodou je rovněž velmi malá spotřeba. Taková paměť je tedy velmi vhodná pro vícejádrové procesory a jiné čipy, do nichž také IBM plánuje 32nm eDRAM integrovat a také spolupracovat se společností ARM, která vyvíjí mobilní nízkospotřebové čipy, kde se jistě bude také hodit. IBM pak už pokukuje po 22nm procesu SOI, jehož produkty se představí také na International Electron Devices Meeting v prosinci. Zdroj: X-bit labs

Společnosti Hynix Semiconductor, Samsung, LGE a Silicon Image se sloučily se záměrem vyvinout nové specifikace pro paměti DRAM s označením SPMT (Serial Port Memory Technology). Ta si má najít cestu do mobilních zařízení, jimž poskytne vysokou datovou propustnost a také nízké nároky na energii. Počet potřebných pinů se má v porovnání s dnešními typy DRAM zredukovat alespoň o 40 procent a co se týče propustnosti, ta bude dle vyjádření firem škálovat od 200 MB/s do 12,6 GB/s a následně i více. Zmíněné firmy tak utvořily sdružení SPMT a chystají se propagovat vlastní technologii především v oblasti mobilních zařízení zaměřených na multimédia. Pro lepší prosazení na trhu pak toto sdružení nebude chtít od ostatních licenční poplatky, ale pouze roční příspěvky pro další financování vývoje SPMT. Na trh se má tato technologie dostat asi v roce 2012. Zdroj: TC Magazine

Společnost Samsung představila svůj nejnovější výrobní proces pro paměťové čipy typu DRAM, jejž již může použít pro výrobu čipů DDR2. Kromě toho však samozřejmě bude jím moci vyrábět momentální nejlepší DDR3 a budoucí DDR4. Výhody pokročilejšího procesu jsou naprosto jasné a logické - nižší cena díky většímu počtu čipů na waferu, nižší spotřeba energie (dle firmy o 30 procent oproti 50 nm) a díky tomu i nižší zahřívání. První čip vyrobený 40nm technologií Samsungu je 1Gb DDR2 DRAM pro frekvenci 800 MHz. Ten již prošel validačním programem pro použití s mobilními čipovými sadami Intel GM45. Produkce ve velkém se chystá také pro 2Gb čipy DDR3. Produktivita takovýchto čipů má oproti 50nm modelům vzrůst o celých 60 procent. A nakonec firma oznámila, že její nová technologie je významným krokem směrem k DDR4. Zdroj: X-bit labs