Společnost Samsung vyrobila pomocí 50nm technologie nové 1Gb paměťové moduly Wide I/O DRAM, které dosahují propustnosti 12,8 GB/s, což je osmkrát více v porovnání s běžnými mobilními DRAM (1,6 GB/s) a čtyřikrát více, než mají LPDDR2 DRAM (3,2 GB/s). Recept je přitom v principu jednoduchý - celkem 512 pinů pro vstup a výstup dat, přičemž klasické moduly používají jen 32 pinů. A kromě toho nové DRAM spotřebují asi o 87 procent méně energie než dnešní mobilní paměti. Samsung doufá, že jeho nové paměti dále posílí růst mobilního sektoru, a to především tabletů a chytrých telefonů. Plánuje také výrobu 4Gb modulů Wide I/O DRAM, a to pomocí 20nm technologie a v roce 2013. Zdroj: TCM
Společnost Samsung vyrobila pomocí 50nm technologie nové 1Gb paměťové moduly Wide I/O DRAM, které dosahují propustnosti 12,8 GB/s, což je osmkrát více v porovnání s běžnými mobilními DRAM (1,6 GB/s) a čtyřikrát více, než mají LPDDR2 DRAM (3,2 GB/s).
Recept je přitom v principu jednoduchý - celkem 512 pinů pro vstup a výstup dat, přičemž klasické moduly používají jen 32 pinů. A kromě toho nové DRAM spotřebují asi o 87 procent méně energie než dnešní mobilní paměti. Samsung doufá, že jeho nové paměti dále posílí růst mobilního sektoru, a to především tabletů a chytrých telefonů. Plánuje také výrobu 4Gb modulů Wide I/O DRAM, a to pomocí 20nm technologie a v roce 2013.
Zdroj:
