Společnost Samsung ve středu oznámila, že začala produkovat paměťové čipy typu DDR3 o kapacitě 2Gb svým 40nm výrobním procesem. Ten by měl zajistit především levnější výrobu, ale pravděpodobně také vyšší výkon nových modulů. Zajištěn je běh na 1,6 GHz při napětí 1,35 V a také šedesátiprocentní nárůst produktivity oproti 50nm procesu. Čipy se využijí pro 2GB a 4GB moduly určené pro desktopy, notebooky a pracovní stanice, ovšem vedle toho půjdou také do 16GB, 8GB a 4GB modulů RDIMM pro servery. Dle firmy iSuppli zabývající se výzkumem trhu mají nové 2Gb DDR3 zabrat na trhu s DDR3 paměťmi do roku 2012 již 82procentní podíl, a stát se tak hlavním produktem v této oblasti. Jejich rozšíření se však očekává již v příštím roce. Zdroj: X-bit labs
Společnost Samsung ve středu oznámila, že začala produkovat paměťové čipy typu DDR3 o kapacitě 2Gb svým 40nm výrobním procesem. Ten by měl zajistit především levnější výrobu, ale pravděpodobně také vyšší výkon nových modulů.
Zajištěn je běh na 1,6 GHz při napětí 1,35 V a také šedesátiprocentní nárůst produktivity oproti 50nm procesu. Čipy se využijí pro 2GB a 4GB moduly určené pro desktopy, notebooky a pracovní stanice, ovšem vedle toho půjdou také do 16GB, 8GB a 4GB modulů RDIMM pro servery.
Dle firmy iSuppli zabývající se výzkumem trhu mají nové 2Gb DDR3 zabrat na trhu s DDR3 paměťmi do roku 2012 již 82procentní podíl, a stát se tak hlavním produktem v této oblasti. Jejich rozšíření se však očekává již v příštím roce.
Zdroj:
