Samsung Electronics oznámil, že začal s masovou produkcí svých prvních pamětí typu 3D Vertical NAND Flash, které můžeme pro zkrácení označit také jako 3D V-NAND. Jedná se o paměti, které řeší problém se škálováním tím, že na sebe vrství několik vrstev paměťových buněk. K tomu Samsung využívá technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) a vertikální propojování jednotlivých vrstev, díky čemuž jeden 3D V-NAND čip vyrobený 20nm technologií nabídne kapacitu 128 Gb. Firma Samsung tak oprášila svou starší technologii CTF, kterou vyvinula již v roce 2006, aby zabránila vzájemnému rušení buněk, což je u výrobních procesů pod 20 nm stále větší problém. V nové architektuře to Samsung řeší tak, že paměti dokáží elektrický náboj dočasně zadržet v nevodivé vrstvě složené z nitridu křemíku, namísto aby byly využívány tzv. floating gates jako u klasických pamětí NAND Flash. Tím se zamezí rušení Tato CTF vrstva má protkat celý čip, čímž mají nové paměti poskytnout výrazně vyšší vý
Co je RTX AI
Web Světhardware.cz přináší velký přehled o NVIDIA RTX AI ve vašem počítači a popisuje spolehlivou a bezpečnou cestu, jak si na svém počítači vytvořit lokální umělou inteligenci.
Samsung Electronics oznámil, že začal s masovou produkcí svých prvních pamětí typu 3D Vertical NAND Flash, které můžeme pro zkrácení označit také jako 3D V-NAND. Jedná se o paměti, které řeší problém se škálováním tím, že na sebe vrství několik vrstev paměťových buněk. K tomu Samsung využívá technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) a vertikální propojování jednotlivých vrstev, díky čemuž jeden 3D V-NAND čip vyrobený 20nm technologií nabídne kapacitu 128 Gb.
Firma Samsung tak oprášila svou starší technologii CTF, kterou vyvinula již v roce 2006, aby zabránila vzájemnému rušení buněk, což je u výrobních procesů pod 20 nm stále větší problém. V nové architektuře to Samsung řeší tak, že paměti dokáží elektrický náboj dočasně zadržet v nevodivé vrstvě složené z nitridu křemíku, namísto aby byly využívány tzv. floating gates jako u klasických pamětí NAND Flash. Tím se zamezí rušení
Tato CTF vrstva má protkat celý čip, čímž mají nové paměti poskytnout výrazně vyšší výkon a spolehlivost, což má oproti 1Xnm klasickým pamětem konkrétně znamenat dvojnásobný výkon a 2 - 10x vyšší spolehlivost. Samsung tak dokáže na sebe naklást až 24 vrstev paměťových buněk pomocí speciální technologie, která prorazí otvory z nejvyšší vrstvy až na dno. V budoucnu tak nebude muset zvětšovat půdorys samotných čipů, což je dle něj u nových výrobních procesů extrémně složité, a namísto toho bude využívat více vrstev, což má přinést i 1Tb čipy.
Zdroj: TZ
