Galerie 3
Samsung zaútočí na Intelovské Optane pomocí Z-NAND
Aktualita Storage a RAM SSD Samsung

Samsung zaútočí na Intelovské Optane pomocí Z-NAND

Jan Vítek

Jan Vítek

Už několik měsíců jsme neslyšeli nic moc nového o pamětech Z-NAND, odpovědi firmy Samsung na konkurenční 3D XPoint od Intelu a Micronu. Nyní tu máme nové informace i o konkrétním produktu.

Reklama

Paměti Samsung Z-NAND byly už dříve označeny za konkurenci pro 3D XPoint, a tak by měly být opravdu rychlé a především musí nabídnout dlouhou výdrž. Samsung má rozhodně prostředky a zkušenosti na to, aby dostal na trh řádnou alternativu pro 3D XPoint a řadu Optane, což je jedině dobře, neboť nechceme, aby právě ty představovaly jedinou novou a samozřejmě autorsky chráněnou technologii, která dokáže zastínit dnes široce využívané NAND Flash. 

Samsung zaútočí na Intelovské Optane pomocí Z-NAND

Paměti Z-NAND však, jak už jejich název jasně říká, vychází z pamětí NAND Flash a jde o znovuzrozené paměti SLC (Single-Level Cell) zapisující jen jeden bit do jedné paměťové buňky. Ta díky tomu může pracovat rychleji a také může dosáhnout mnohem delší výdrže než buňky jako TLC (tři bity) nebo dokonce QLC (čtyři bity), kde je nutné rozpoznávat až 16 úrovní náboje. 

Samsung zaútočí na Intelovské Optane pomocí Z-NAND

K tomu se přidávají také moderní kontrolery od Samsungu a výsledkem je třeba uvedený model SZ985 v podobě HHHL karty pro PCI Express 3.0 x4. Ten slibuje sekvenční rychlosti čtení i zápisu shodně 3,2 GB/s a dále pak 750.000 IOPS při náhodném čtení 4kB souborů a zápis mnohem slabších 170.000 IOPS. Zde jsou důležité také latence, a to pod 20 μs při čtení i zápisu a co se týče výdrže, rating uvádí 30 kompletních přepisů 800GB SSD za jeden den po dobu platné záruky. 


Paměti Kapacita R/W IOPS R/W sekvenční Životnost R/W latence
Optane P4800X 3D XPoint 750GB 550K/550H 2,4/2,0 GB/sec 41 PBW 10/10μs
SZ985 SLC NAND 800GB 750K/170K 3,2/3,2 GB/sec 42,7 PBW 12-20/16μs

Pokud to srovnáme se 750 GB Optane P4800X, Samsung nabízí vyšší IOPS při náhodném čtení, a to o 200.000, ovšem Optane má zase mnohem mnohem vyšší IOPS při zápisu, a to 550.000. Samsung je také rychlejší v sekvenčních operacích, neboť P4800X v tomto ohledu nabízí "jen" 2,4 a 2 GB/s a co se týče výdrže, jsou na tom oba produkty velice podobně. 

Z tohoto pohledu to vypadá, že NAND Flash rozhodně nejsou ze hry, ovšem na trhu je zatím jen první generace pamětí 3D XPoint, a lze předpokládat, že ta má mnohem větší potenciál k vývoji než staré paměti Flash. O ceně a nástupu SZ985 se zatím nic nedozvíme.


Reklama
Reklama

Komentáře

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Reklama
Reklama