Společnost SanDisk oznámila, že přechází na 19nm technologii při výrobě pamětí iNAND Ultra, což je v tomto případě zatím nejpokročilejší proces. Díky tomu získáme paměti s větší kapacitou pro naše chytré telefony, tablety a jiná mobilní zařízení využívající paměti označované za eMMC. Nové SanDisk iNAND Ultra budou založeny na 10. generaci pamětí s buňkami MLC, které dokáží zaznamenat dva bity. K tomu ještě využijí nová, menší pouzdra, díky čemuž bude 64GB čip mít rozměry 11,5 x 13 x 1 mm. Co se týče výkonu, pak nové paměti nabídnou sekvenční zápis do 20 MB/s a čtení 80 MB/s, přičemž SanDisk spolupracuje s OEM výrobci a firmami produkujícími čipové sady na tom, aby paměti podaly co nejlepší výkony. Zezačátku budou 19nm iNAND Ultra k dispozici v kapacitách od 8 do 64 GB a první vzorky se k zákazníkům dostanou ještě v tomto kvartále. Výroba ve velkém odstartuje v tom dalším. Zdroj: TZ SanDisk
Společnost SanDisk oznámila, že přechází na 19nm technologii při výrobě pamětí iNAND Ultra, což je v tomto případě zatím nejpokročilejší proces. Díky tomu získáme paměti s větší kapacitou pro naše chytré telefony, tablety a jiná mobilní zařízení využívající paměti označované za eMMC.
Nové SanDisk iNAND Ultra budou založeny na 10. generaci pamětí s buňkami MLC, které dokáží zaznamenat dva bity. K tomu ještě využijí nová, menší pouzdra, díky čemuž bude 64GB čip mít rozměry 11,5 x 13 x 1 mm.
Co se týče výkonu, pak nové paměti nabídnou sekvenční zápis do 20 MB/s a čtení 80 MB/s, přičemž SanDisk spolupracuje s OEM výrobci a firmami produkujícími čipové sady na tom, aby paměti podaly co nejlepší výkony. Zezačátku budou 19nm iNAND Ultra k dispozici v kapacitách od 8 do 64 GB a první vzorky se k zákazníkům dostanou ještě v tomto kvartále. Výroba ve velkém odstartuje v tom dalším.
Zdroj: TZ
