Technologie NAND pamětí se posouvají dál a společnost SK hynix by chtěla ještě letos rozjet výrobu NAND čipů s 375 vrstvami. Využije pro to jiné materiály.
Paměti NAND neustále zvyšují počty svých vrstev a společnost SK hynix se nechala slyšet, že by ještě letos měla spustit výrobu 375vrstvých modelů, které překonají nynější 321vrstvé paměti V9 NAND. Jejich výroba by měla probíhat právě na linkách svých předchůdců. Zde je dobré podotknout, že původně měla být novinka ve třídě 400+vrstvých pamětí, nicméně pokles je způsoben tím, že s dalším přidáváním vrstev rostou také problémy s výrobou, konkrétně s elektrickými kontakty a jejich spolehlivostí.
U nových verzí tak bude nahrazen wolfram molybdenem, kde ten původní má větší problémy s rostoucím odporem při snižování tloušťky spojů, což vede k nižším rychlostem, zatímco molybden s tímto takové potíže nemá, tomu ztenčování nevadí a dosahuje vysokých výkonů v tenkých strukturách.
SK hynix má v roadmapě také 480 a 604vrstvé varianty, ty ale budou vyžadovat větší zásahy do konstrukce NAND čipů, takže zde jde spíše o dlouhodobější projekt, neboť se naráží na limity dnešních materiálů a technologií.
Společnost chce také významně navýšit výrobní kapacitu, což by mohlo pomoci v dnešní paměťové krizi. Z nynějších 550 tisíc waferů měsíčně by se chtěl dostat v roce 2030 zhruba na 1 milion waferů. Většinu z tohoto nárůstu, cca 360 tisíc, by měl mít na svědomí Yongin Semiconductor Cluster.
